导磁构件单一超强磁化漏磁检测方法研究

将传统的检测方法进行简化与统一，研究了导磁构件单一超强磁化漏磁检测方法。该方法采用单一穿过式磁化线圈对导磁构件进行局部单一轴向超强磁化，激发出其纵、横向伤的泄漏磁场并利用磁敏元件阵列加以拾取，实现纵、横向伤的全面检测；再通过信号求和比较法进行纵、横向伤检出信号区分，并对其进行信号幅值补偿，实现同损伤当量的纵、横向伤等信号幅值与灵敏度的统一判断。试验证明，该方法可实现高速、高效探伤，并能对自身难以旋转的导磁构件进行全面检测，也能适应纵向焊缝的检测。

一种电磁线圈发射器磁场构型优化方法

为提高发射效率,提出通过加装导磁构件改变磁场构型的新型驱动线圈结构。在分析驱动线圈磁场分布对发射器性能影响的基础上,优化驱动线圈磁场构型,分析导磁构件的结构参数对磁场构型的影响规律。结果表明:该方法能减小线圈磁场泄露和级间耦合,增大线圈内部磁场轴向梯度和发射组件所受磁场力,提高电磁线圈发射器的能量转换效率,得出导磁构件结构参数的最优值。