采用导磁片改造磁控装置提高靶材利用率

通过对真空溅镀生产线靶材的刻蚀情况观测,发现所有产线均存在不同程度的靶面刻蚀不均现象,而3号线尤为突出,其端部刻蚀深度相对于其它部位刻蚀深度较深,导致靶材使用寿命短,利用率低。采用高磁导率材料电工纯铁DT4制作导磁片装入磁控装置,试验结果表明,降低了靶面刻蚀不均匀度,靶材利用率提高至少10%。

FeCuNbSiB纳米晶合金成分及碎磁工艺对磁性能的影响

对Fe_(74)Cu_(1)Nb_(3)Si_(15)B_(7)以及Fe_(81)Cu_(6)Nb_(1)Si_(7)B_(5)纳米晶合金分别在570、520℃下进行退火热处理,然后与丙烯酸酯胶粘剂贴合制备多层导磁片复合材料,研究了不同合金成分对纳米晶导磁片磁性能的影响。结果表明,Fe_(74)Cu_(1)Nb_(3)Si_(15)B_(7)在100~600 mT(f为100 kHz)时,损耗值P_(cm)明显小于Fe_(81)Cu_(6)Nb_(1)Si_(7)B_(5)的损耗值。当频率在1.8 MHz以上时,Fe_(81)Cu_(6)Nb_(1)-Si_(7)B_(5)虚部磁导率μ’反而更低,Fe_(81)Cu_(6)Nb_(1)Si_(7)B_(5)在高频下表现出更好的特性。在相同电流下,Fe_(81)Cu_(6)Nb_(1)Si_(7)B_(5)导磁片直流偏置性能相对更高。除此之外,随着碎磁次数的增加,两种合金实部磁导率μ’降低同时随频率f的衰减量减小;在100kHz~30 MHz频率范围内,两种合金虚部磁导率μ’最大值对应频率f随碎磁次数增加均向高频偏移。

基于数值模拟的矩形磁控溅射靶磁场结构设计及分析

针对磁控溅射沉积涂层技术中存在着的靶材利用率低和刻蚀不均匀等问题,基于计算机数值模拟仿真技术,通过对矩形平面磁控溅射靶材的内、外磁铁结构参数的设计,以及导磁片长度和厚度的设置,模拟分析内、外磁铁和导磁片在不同结构参数条件下,靶材的表面磁场及磁感应强度分布。结果表明,在内磁铁高12 mm、直径20 mm,外磁铁高16 mm、直径10 mm的结构参数条件下,靶材表面水平磁场的最大磁感应强度在35 m T左右,且水平磁感应分布均匀。与此同时,在设置长5 mm,厚2 mm的导磁片后能更加明显的改善靶面水平磁场分布,提高靶材的利用率,进而整体改进沉积涂层的综合性能。利用模拟分析可得到靶面水平磁感应强度适中、分布较为合理的靶结构参数,对实际磁控溅射靶的设计具有指导意义。

平面磁控溅射靶磁场的模拟优化设计

平面磁控溅射靶面水平磁感应强度对靶材刻蚀均匀性及其利用率等有着重要作用。为了提高靶面水平磁感应强度均匀性,在传统磁控溅射平面靶结构基础上,提出了一种采用加装两导磁片的结构,通过ANSYS软件模拟,得出采用不同尺寸及位置的导磁片时的靶面水平磁感应强度分布规律。结果表明,当采用适当的导磁片厚度、导磁片间距及导磁片与内外磁钢距离时,能有效改善靶面的水平磁感应强度均匀性,提高靶材的利用率。同时,通过模拟分析了距靶面不同距离的截面磁场强度分布对靶材刻蚀轮廓的影响。

磁铁铆具结构及设计

通过对磁铁工艺性分析,设计了合理的磁铁铆具,介绍了磁铁铆具结构、铆具工作过程及设计注意事项,说明了主要结构件设计思路及工作原理。该铆具结构稳定、可靠,制作成本低,使用方便,寿命长,铆压的磁铁质量好。

控制棒驱动机构临界释放电流偏小对控制棒驱动机构功能可靠性的影响分析

国内某制造厂承制的压水堆核电站控制棒驱动机构在进行热态试验后的冷态试验时出现移动衔铁释放临界电流超差问题。为了查找影响移动衔铁释放临界电流超差的原因,历时9个月,从设计、原材料、制造工艺、装配等方面进行了分析排查,并针对可能影响电流超差的因素进行了一系列排查试验,分析判断得出移动衔铁释放临界电流超差的原因是由综合因素造成的。最终对该控制棒驱动机构实施170万步综合性能试验,试验结果表明移动衔铁释放临界电流超差问题对该驱动机构的运行波形、机电延迟时间等性能参数均无不利影响。