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三极管导通工作状态的近似估算
被引量:
1
1
作者
袁志成
《张家口师专学报》
2000年第1期91-93,共3页
文中剖析了现行部分电子技术教材中判断三极管导通二作状态的两种方法的弊端,提出对饱和区进行区域划分,明确用V_(CEO)表示临界饱和时的饱和电压V_(CE),改进了原有的近似估算法,使其适用于分析饱和状态饱和程度且更易于初学者理解。
关键词
饱和
临界饱和
浅度饱和
三极管
导通工作状态
近似估算
下载PDF
职称材料
题名
三极管导通工作状态的近似估算
被引量:
1
1
作者
袁志成
机构
张家口师范专科学校物理系
出处
《张家口师专学报》
2000年第1期91-93,共3页
文摘
文中剖析了现行部分电子技术教材中判断三极管导通二作状态的两种方法的弊端,提出对饱和区进行区域划分,明确用V_(CEO)表示临界饱和时的饱和电压V_(CE),改进了原有的近似估算法,使其适用于分析饱和状态饱和程度且更易于初学者理解。
关键词
饱和
临界饱和
浅度饱和
三极管
导通工作状态
近似估算
Keywords
satisfaction
critical statisfaction
shallow satisfaction
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
三极管导通工作状态的近似估算
袁志成
《张家口师专学报》
2000
1
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