高频变压器导通电流高速采集系统的研究与设计

高频变压器在开关电源中,激励电压通常为高频大电流方波,因此导通电流为高频的类似三角波的形式。高频变压器导通电流数据是判断高频变压器是否饱和的主要依据。现有方法中,主要还是用示波器直观地观测,对电流数据进行实时采集和分析的应用较少。由于高频变压器电流上升速度快,对电流数据的采集和存储较为困难。本文提出了一种基于SOPC的电流高速采集系统,系统采用FPGA+高速ADC的主体方案,设计了高频变压器的H桥驱动控制电路、高速ADC采集电路、FPGA内采样控制逻辑和基于NIOSII的嵌入式处理系统。本系统最低可实现0.05μs的采样间隔,最大采样电流为20A,可对高频变压器的导通电流做精准采样与存储,为研究高频变压器的饱和参数和容量提供数据支撑。

大电流GaAs光导开关工作特性研究

光导开关作为一种新型固体开关,具有闭合时间短(ps量级)、时间抖动小、重复频率高、功率容量大、光电隔离等优势,脉冲功功率技术研究领域受到广泛关注。实验研究表明,光导开关性能与工作电压、导通电流、触发激光参数、重复频率、工作环境及开关制作工艺等诸多因素密切相关,寿命差异从几百次至几十亿次不等。为了研究在较大导通电流下的开关特性,获得了开关电阻特性随工作发次的变化关系,为开关寿命提升奠定了实验基础。

等离子体源参数对长导通等离子体断路开关性能的影响

首次自行研制了导通电流可达100kA的微秒导通时间POS（等离子体断路开关），并初步开展了等离子体源参数，包括等离子体枪与主回路之间的触发延时、等离子体枪的工作电压以及等离子体枪的数目对开关性能的影响规律研究。

太阳翼电池串基于静电放电所需要的安全距离设计研究

太阳翼电池串的静电放电作用会产生电池串之间的导通电流以及表面热流,对太阳翼的可靠性带来较大影响。为研究上述问题,本文提出一种等离子体空间电阻数值模型,以求解电池串导电表面之间的空间电阻。基于验证试验,该数值模型的误差为3.19%~7.82%,可基本满足研究需要。在此基础上,针对各类等离子体环境、不同放电电压以及不同间隙下的电池串之间的导通电流和表面热流密度进行数值计算,获得了导通电流和表面热流密度的变化规律,并总结出电池片之间安全距离的建议设计值。

非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究

采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明:提高栅界面层N-H键含量(或减少Si-H键含量)能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能,提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。

常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET

南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。

高密度等离子体融断开关融蚀现象的粒子模拟研究

利用自行研制的 2 .5维全电磁柱坐标粒子模拟程序对高密度等离子体融断开关融断区域中的融蚀现象进行了模拟研究 ,详细地介绍了计算模型的建立以及复杂边界的算法处理。模拟结果表明在融断开关导通电流的最后阶段 ,由于磁压力、磁场渗透作用和非中性静电融蚀作用 ,在融断区域的阴极附近会形成一定宽度的真空鞘层。由于等离子体密度的下降以及初始真空鞘层的存在 ,使得即使只有较小的离子电流 ,融蚀机制也完全可以导致

伪火花开关的设计与实验研究

阐述了伪火花放电的基本原理,设计了一种具有典型参数的伪火花开关,并通过实验研究了该开关的特性。实验表明,该开关的耐受电压高(37kV),导通电流大(93kA),电流上升陡度达7.8×10^(10)A/s。

中国电科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片

中国电子科技集团公司第十三研究所基于自主开发的工艺,成功研制出1 200 V/20 A SiC MOSFET芯片。芯片采用平面沟道结构,在栅极电压20 V、漏极电压2.0 V时,漏源导通电流达20 A,阈值电压达1.6 V,1 200 V下器件的泄漏电流小于10μA,沟道反型层载流子迁移率达17.0 cm2·V^（-1）·s^（-1）,n型欧姆接触电阻率小于5×10^（-5）Ω·cm^2,芯片面积为4.5 mm×4.5 mm。

隧穿晶体管研究进展

随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重。隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件,可以在室温下实现小于60 mV/dec的亚阈值摆幅,具有很好的低功耗应用前景。但常规的隧穿晶体管导通电流比较小,而且具有双极特性。首先介绍了隧穿晶体管的结构和工作原理。其次,针对常规隧穿晶体管问题,综述了国内外研究进展,包括Ge材料隧穿晶体管、纳米线隧穿晶体管等。最后介绍了一种基于隧穿介质层的新型隧穿晶体管,器件仿真结果表明这种新型器件可以有效抑制双极特性。

全固态PDM—1 kW中波发射机调制推动级原理及维护

1调制推动器的工作原理 调制推动器的主要作用就是将连续的音频信号转换为占空系数（占空系数：推动放大级导通电流开始直到相邻截止段的终点为一个周期，每周导通电流的时间t同一个周期T的比值，称为占空系数。其数值为0．5），它是随音频信号幅度变化的脉冲信号。具体的组成和功能原理如图1所示。

252 kV GIS用转角母线模块的研发

在GIS中,转角母线是实现导通电流和改变通流方向的重要元件,设计出结构合理、性能可靠、成本低廉和运行故障率低的转角母线模块,对GIS设备安全可靠运行至关重要。对转角母线模块中L型铸造壳体、通流导体等核心部件的设计特点及仿真核算进行探讨和分析,对类似母线结构研发设计有一定借鉴作用。

随着温度变化而由导电体转变为绝缘体的材料

日本物质·材料研究所的一个研究小组，开发了一种新型陶瓷氧化物材料，该材料随着温度的变化而由导电体转变成为绝缘体。它是一种钙钛矿型的锇氧化物陶瓷材料，在高于140℃的温度下表现为导电体，随着温度的降低而逐渐变得难以导通电流，在30℃时便变成了完全的绝缘体。这种材料可用于空港等场合中的安全检查等方面。

用国产器件修复Varian 1800加速器高压光耦合器

用国产器件修复Ｖａｒｉａｎ１８００加速器高压光耦合器王佐仁，来启云美国Ｖａｒｌａｎ１８００加速器电子枪高压３０ＫＶ，为了保证加速器射线出率稳定，避免冷灯丝时加高压、设置了枪灯丝电流监视电路，监视电路为低压－１２Ｖ。见图１，工作性能要求：当灯丝电流下降...

长虹DT-5、CHD-5高清机芯保护电路原理与维修(二)

（4）工作于TV显示模式时，数字板上的微处理器UN11（M37227）的⑧脚（SW）为高电平，经连接器JN01／XSII的①脚和连接器XP803／XS853的SW脚使电源板上的VQ850导通，致使VQ851导通，此时R852两端阻值达到最小，它与R834串联后，使升压电阻的阻值变小，导致NQ833的①脚输入的电压升高，经NQ833内部电路处理后，使NQ838的②脚电位降低，NQ838内发光管因导通电流增加而发光增强，

福日P7机心保护电路分析与检修(中)

从上述待机控制过程中得知，Q953在待机时饱和导通，通过D955、D954将“光耦”IC902的②脚电压拉低，“光耦”的导通电流增加，注入到STR-S6708的⑦脚的电流增加，将开关电源输出电压降低到开机时的1／4左右。该保护电路利用Q953的这一功能，开发了低压电源失压保护、过流保护电路。当被检测电路发生故障时，向Q953的基极注入高电平，使Q953饱和导通，通过“光耦”注入到STR-S6708的⑦脚的电流增加，开关电源输出电压降低到正常时的1／4左右，进入保护状态。