期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
500V压集成电路LCH1016的研制
1
作者 赵元富 孙龙杰 +1 位作者 王方 王庆丰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第11期5-9,共5页
本文采用N阱硅栅CMOS工艺和自绝缘偏移栅高压MOS器件结构。研制出500V高压集成电路LCH1016。重点讨论了高压器件结构对击穿电压的影响及其导通电阻特性。给出了LCH1016的电路逻辑、版图设计及工艺参数控制.
关键词 500V高压集成电路 LCH1016 导通电阻特性 电路逻辑 工艺
全文增补中
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部