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导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET
1
作者
柏松
陈刚
+3 位作者
李哲洋
张涛
汪浩
蒋幼泉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第z1期382-384,共3页
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25~30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W...
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25~30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参数的不同是造成微波性能差异的主要原因.
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关键词
碳化硅
导通衬底
半绝缘
衬
底
MESFET
微波功率
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职称材料
题名
导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET
1
作者
柏松
陈刚
李哲洋
张涛
汪浩
蒋幼泉
机构
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第z1期382-384,共3页
文摘
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25~30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参数的不同是造成微波性能差异的主要原因.
关键词
碳化硅
导通衬底
半绝缘
衬
底
MESFET
微波功率
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET
柏松
陈刚
李哲洋
张涛
汪浩
蒋幼泉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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