大功率半导体开关RSD触发导通特性的实验研究

大功率半导体开关RSD是目前通流能力最强的半导体开关之一,它具有电流上升率高、导通损耗小的特点。触发参数是影响RSD导通状况的主要因素之一;本文通过实验研究了不同触发电流脉宽、幅值对RSD导通状况的影响,得出了2μs、1μs、500ns和250ns四种触发脉宽下RSD峰值导通压降随触发电荷量的变化曲线,分析了250ns触发脉宽下RSD导通不充分的原因,实验结果表明临界触发电荷量计算公式中比例系数随触发脉宽增加而增大。

可控硅能否被触发导通的典型实例分析

通过对工程中一个典型的触发脉冲信号的分析、测量和计算 ,找出了一条可以正确判断可控硅能否被触发导通的途径。现场调试结果证明这一判断方法正确。它对现代机械控制系统的调试。

两级沿面触发型气体开关等离子体喷射过程与触发导通规律

气体间隙开关用于可控避雷器快速旁路开关具有明显的优势,但高气压环境介质中等离子体喷射能力会受到极大制约,易造成触发失败,亟需研究等离子体喷射过程和触发导通的作用规律,实现高气压气体间隙开关的高性能触发导通。为此搭建了两级沿面触发型气体间隙开关喷射等离子体触发放电试验研究平台,研究结果表明:空气间隙开关喷射等离子体发展过程分为高气压高速喷射、饱和稳定发展和消散阶段,喷射等离子体特性参数(喷射面积、喷射高度、喷射速度)变化规律存在差异,喷射等离子体形态呈类圆台状增长;提高储能电容值及其充电电压,喷射等离子体特性参数均随之增大,导通时延渐进减小,其触发导通时喷射高度的降低效应较为明显;随着工作系数的降低,等离子体喷射能力受到明显抑制。压缩空气与SF6间隙开关的喷射等离子体发展过程存在明显差异,SF6对喷射等离子体的发展具有显著的抑制效应。研究结果为高压大容量气体间隙开关的工作性能提升提供理论指导。

一种激光触发真空开关的触发特性研究

为优化触发真空开关(triggered vacuum switch,TVS)性能,满足脉冲功率技术对开关器件的要求,设计了一种多棒级型激光触发真空开关(multi-electrode laser-triggered vacuum switch,LTVS)。文中详细讨论了外施电压、激光触发能量、开关极性、焦斑能量密度等对开关延迟时间、抖动时间和最低工作电压等触发特性的影响,提出开关导通是热机制和碰撞电离机制相互作用的假设,并为此类开关的优化设计提供理论依据和参考。实验表明:开关的延迟时间最低可达17 ns,抖动最低可达10 ns,最低工作电压为60 V;开关导通需满足一定的激光触发能量和外施电压要求,在触发能量一定的情况下,焦斑能量密度是影响开关触发特性主要因素;开关极性是影响触发稳定性的主要因素。

脉冲功率电源触发电路研究

研究了脉冲功率电源中触发开关的触发导通特性。通过设计触发电路进行试验,研究了不同的触发电路对触发导通时间的影响,针对隔离触发电路提出了增加续流电路的方法。对比不同触发电路的触发性能,试验表明,电容直接放电续流触发电路性能良好,可使TVS的触发导通时间减小至1μs,且离散性小。

超高压电网故障电流限制器晶闸管触发导通试验分析

华东电网500 kV故障电流限制器示范工程为世界首次运用,说明了故障电流限制器控制保护系统的基本功能,介绍了华东电力试验研究院承担的部分系统调试工作,包括二次分系统调试的部分内容及调试技术,着重分析了阀组低压触发试验及整组动作时间测量,可为今后类似的工程借鉴参考。

基于单片机防压手压铆机设计

为了提高工业生产安全指标,降低人员工伤等方面.设计和实现了以STC89C52RC单片机为核心的防压手压铆机的控制系统.系统以单片机为控制核心,对由一个12V/5V直流稳压电源、12V直线伸缩电机与3个触发开关进行信号处理完成功能实现.通过人体导电系数的精确计算得到临界值,搭配导通触发开关,实现了对防压手压铆机的模拟.