用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热

本文探讨了可以用于生产厂封装的器件的各种热管理方案,并且引用了国际整流器公司的测试数据,来评估使用小型散热器改善这些器件散热性能的优点,并研究了在进行通电循环的情况下,在器件上直接安装散热器对器件可靠性的影响。

功率器件封装用Cu-Sn全IMC接头制备及其可靠性研究进展

随着功率半导体器件的服役环境越来越恶劣,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体凭借其优异的高温性能成为行业应用主流。但目前尚缺乏与之相匹配的低成本、耐高温的互连材料,成为了制约行业发展的瓶颈。Cu-Sn全金属间化合物(IMC)因其成本低、导电性好且满足低温连接、高温服役的特点被认为是理想的SiC芯片互连材料之一。针对功率半导体器件封装,对国内外近年来Cu-Sn全IMC接头的制备方法和可靠性进行了分析和综述,并讨论了目前亟待解决的问题和未来的发展趋势。

电动汽车功率电子封装用耐高温环氧塑封料的研究进展

本文综述了近年来国内外关于耐高温环氧塑封料(EMC)的基础研究与应用进展,从先进功率电子器件发展对塑封材料的性能需求、传统EMC的高温降解机理、EMC结构与耐热稳定性的关系以及提高EMC耐热稳定性的改性途径等方面进行了阐述。重点综述了多芳环(MAR)型以及含萘型EMC的发展状况。最后对功率电子封装用耐高温EMC未来的发展趋势进行了展望。

车用高可靠性功率器件封装及辅助技术专辑主编述评

车用功率器件封装研究的进展极大提升了电动汽车的动力性能和续航能力,使得电动汽车更加高效、可靠。随着车用功率器件封装的不断优化,电动汽车行业有望迎来更广阔的市场前景和发展空间。近年来,功率器件封装建模、封装设计与优化、热管理与结温监测、器件驱动与应用、可靠性分析、在线监测等成为研究热点,并受到了学术界及工业界的持续关注。《电源学报》特别推出“车用高可靠性功率器件封装及辅助技术”专辑,以期推进车用功率器件及其应用难点和热点问题的探讨。

面向电动汽车功率芯片封装应用的耐高温塑封料研究进展

环氧塑封料(EMC)在电动汽车电控系统用芯片封装中扮演着重要角色。电动汽车电控系统工作温度的不断升高对传统EMC材料的耐热稳定性提出了越来越高的要求。本文综述了国内外近年来在耐高温塑封料领域的研究进展,从耐高温树脂发展概况及其对传统环氧树脂基EMC材料的改性进展等方面进行了阐述。重点综述了双马来酰亚胺(BMI)、氰酸酯(CE)、聚苯并噁嗪(PBZ)树脂改性EMC材料以及邻苯二腈基塑封料的发展状况。最后对电动汽车电控芯片封装用耐高温塑封料的未来发展趋势进行了展望。

新型双列直插封装智能功率模块及其外部电路设计

随着电力电子技术、微电子技术和控制理论的发展,控制驱动系统中的功率变换器和控制技术不断更新,变频控制越来越多地应用于工业现场,如电机控制、PWM整流、有源电力滤波等领域。用于变频控制的电力电子器件正向小型化、大功率、高集成度方向发展,同时价格也在不断降低。本文介绍的双列直插封装智能功率模块(DoubleIn-linePackageIntelligentPowerModule,简为DIP-IPM)就属此类高集成度电力电子器件。介绍了DIP-IPM的基础结构,给出了具体的外围电路设计和实验结果。

大功率LED封装技术方案设计和发展趋势分析

本文对大功率LED的技术现状和发展趋势进行详细分析;同时针对大功率LED封装的散热问题,从封装结构、封装材料等方面进行全面分析讨论,归纳总结出大功率LED封装方面的技术方案。

焊带、汇流带电阻对组件功率封装损失影响的分析

太阳能电池组件是光伏发电系统中的关键器件,决定着整个系统中光伏发电的效率及成本。对于晶体硅太阳能电池组件而言,如何降低组件封装功率损失是整个行业的一个研究重点。晶体硅太阳电池组件中使用的焊带、汇流带基本结构为起导电作用的铜基材和起焊接作用的表面涂锡层。本文通过对比不同规格的焊带、汇流带,指出低电阻焊带、汇流带能降低组件的串联电阻Rs,从而降低组件封装功率损失(Power Loss)。

功率器件封装用纳米浆料制备及其烧结性能研究进展

随着SiC、GaN等第三代半导体在大功率器件上的应用,功率器件的工作温度可达到300℃,传统Sn基无铅钎料因为熔点低及钎焊温度高等原因无法满足要求。纳米浆料因其可以实现低温烧结、高温服役的特性吸引了国内外研究者的青睐。从纳米颗粒的合成、纳米浆料的制备、烧结性能以及可靠性等方面综述国内外纳米浆料的研究进展,同时对纳米浆料研究中存在的问题提出一些建议。

IGBT功率模块封装失效机理及监测方法综述

IGBT功率模块对于绿色电能的使用具有重大意义,IGBT功率模块封装结构是保证其正常工作的重要组成。本文从IGBT功率模块两种主要的封装方式——焊接型和压接型的结构入手,阐述了不同封装结构可能存在的不同失效机理。对比了两种封装模块的性能,包括焊接型模块的散热能力、可靠性、串并联能力、制造费用和功率密度等性能以及压接封装中的直接压接和弹性压接模块的性能。在模块性能监测参数方面,介绍了相关参数的监测电路,阐述了一些常见的监测参数以及目前存在的失效耦合机理不清和单一参数难以监测等问题,对其监测方法进行了叙述,并对比了焊接型和压接型模块在封装性能监测中的异同。对一些新的封装方式和监测方式进行了简述,最后展望了目前IGBT功率模块封装失效机理和监测的研究方向、发展方向。

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高,早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后,详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响,并以热增强型封装、热插片封装为例,描述了功率封装的动、静态特性,并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路,具有一定的参考价值。

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。

功率电子封装关键材料和结构设计的研究进展

传统功率电子封装主要以钎料连接和引线键合等二维平面封装技术为主,无法满足第三代半导体器件在高频、高压、高温下的可靠应用需求。为了解决这一问题,二维平面封装逐渐向三维集成封装发展。对功率电子封装技术中的关键材料和结构设计的研究进展进行了总结和展望。连接材料从锡基钎料逐渐发展为金基钎料、瞬态液相连接材料、烧结银等高导热、耐高温材料,连接技术从引线键合逐渐发展为双面冷却、器件集成和垂直叠层互连等。通过去除引线提高开关性能,集成多种芯片和器件提高功率密度,双面冷却提高散热效率。三维集成封装具有巨大的市场潜力,将成为未来的主要发展趋势之一。

大功率三维系统封装散热微通道结构优化

从微通道截面形状参数及微通道数目角度对大功率三维系统封装进行了散热优化分析。基于正交试验的设计方法对影响三维系统封装散热特性的微通道截面参数及微通道数目进行了试验设计,并利用ANSYS的FLOTRAN热流体耦合分析了上下层芯片结温、流体压力差等表征三维系统封装散热特性的因素。最后,综合考虑芯片温度、三维系统封装的可制造性和结构设计合理性,优化了微通道截面形状参数及微通道数目参数,实现了三维系统封装的散热优化。

首尔半导体中功率封装产品光效突破180lm／W

首尔半导体此次发布的升级版5630可达业界最高光效180lm／W，而在全球第一个把5630应用在照明市场的也正是首尔半导体。5630推出当时，由于其光效比其他大功率产品（1W以上）更突出，所以在2011—2012年间，成为了全球照明用最畅销封装产品。首尔半导体凭借着业界最高光效的5630，快速抢占了日本、欧洲、美国等高效率LED灯泡、日光灯以及面板灯市场。

功率封装钝化层开裂原理分析

功率芯片表面的钝化层裂纹严重影响功率器件的可靠性。文章通过典型的D-PAK模块温度循环试验,对钝化膜失效原理进行了深入研究。温度循环试验结果表明,裂纹在靠近边界覆盖有铝膜的钝化层中生长,但是很少出现在铝条中。如果钝化膜中的裂纹始终和制造过程中最先产生的裂纹保持一致,那么器件的寿命将会很长。这要求应力强度因子总是小于钝化膜的韧性,否则裂纹就会在后续的服役周期中生长并扩展;应用Griffith准则可以知道裂纹是否会产生。最后,给出了裂纹萌生周期临界值的估算方法,并绘制了裂纹萌生图作为钝化层的失效准则。文章提出的系统性检测钝化层产生棘轮变形和开裂的方法,可以提高器件的可靠性。

采用SMD功率封装的1W自然白光LED

Vishay Intertechnology，Ine．推出通过AEC—Q101汽车认证的1W自然白光LED—VLMW711T3U2US。该款产品具有非常高的亮度和紧凑的封装外形，壮大了Little Star系列SMD功率LED家族的阵容。VLMW711T3U2US LED使用InGaN技术．并具有10K／W的低热阻和高发光强度，可用于各种各样的应用。

Vishay推出12个具有三种功率封装的45V器件

日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出12个具有三种功率封装的45V器件，这些器件具有10～60A的宽电流等级，扩充了其TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器在10A时具有0．33V的极低典型正向压降，针对在太阳能电池接线盒中用作提供保护功能的旁路二极管进行了优化。