AlSiC电子封装基片的制备与性能

采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术，成功制备出AISiC电子封装基片。研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律，并对所制备的AISiC电子封装基片的性能进行评价。结果表明，在磷酸铝含量为0．8%，成形压力为200MPa时，经600℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为8．46MPa，孔隙率为37％。当温度为100～500℃时，AISiC电子封装基片的热膨胀系数介于6．88×10^-6和8．14×10^-6℃^-1之间，热导率为170W／（m·K），抗弯强度为398MPa，气密性小于1×10^-8Pa·m^3／s。用钯盐活化进行化学镀镍，得到光亮、完整的镀层。镀层于450℃恒温120s后，镀层不变色，未见起皮和鼓泡。

基片级封装技术节省空间并提升效率

随着所有应用领域的顾客都需要更高的移动性,电子业也将追求以更少的机板空间达到更高层次的功能。半导体组件例如模拟、分立式组件(discretes)、逻辑、以及微调节器筹广泛应用子各种市场。但光是缩减体积通常无法提供相同的整体效益,因此业者莫不致力于追求更高功率效益的解决方案。目前创新的封装方案与技术有覆晶、半导体级封装、裸晶筹,封装小型化以及功能集成两者相互搭配,能大幅节省空间,尤其是由多重市场半导体所支持的量产型电子产品市场。

无线内存模块化的全球趋势

早期发展趋势 推动无线行业发展所需要的技术正飞速发展,这一趋势源于日本.1993年,一般日本手机的尺寸是150立方厘米、重量约为200克.日本手机制造商多年来不懈努力来缩小手机尺寸、减轻手机重量.到2003年,一般日本手机尺寸约为84立方厘米、重量约为99克.最令人惊奇的是,手机尺寸越来越小而功能却越来越多.最新款手机除具备通话功能外,还有较大的彩屏、一个或多个相机、流式视频、MP3以及和弦铃声.这些功能需要更大的内存容量,而整体外形却要保持同样大小,甚至更小.