基于热测试芯片的2.5D封装热阻测试技术研究

2.5D多芯片高密度封装中,多热源复杂热流边界、相邻热源热耦合增强,高精准的热阻测试与仿真模拟验证是封装热设计的关键。设计开发了基于百微米级发热模拟单元的热测试验证芯片(TTC),并基于多热点功率驱动电路系统和多通道高速采集温度标测系统,实现了2.5D多芯片实际热生成的等效模拟与芯片温度的多点原位监测。通过将实际热测试结构函数导入热仿真软件,实现了仿真模型参数的拟合校准,采用热阻矩阵法表征多芯片封装热耦合叠加效应,实现了多热源封装热阻等效表征。结果表明,多芯片封装自热阻和耦合热阻均随着芯片功率密度的增加而提高,芯片的热点分布对封装热阻值的影响更为显著,因此模拟实际芯片发热状态、建立等效热仿真模型是实现高精准封装热仿真和散热结构设计的关键。

半导体器件封装热阻测试方法及其研究

本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置,并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论。通过对半导体PN结温度系数的研究发现:温度系数的测定准确性主要与被测点的温度范围有关,而与所选温度点的个数关系不大.最后本文对半导体器件开帽与不开帽测量热阻进行了讨论.

一种基于SiP的高温测井仪器高速数据采集系统

通过使用高导热封装材料及热传导效率高的热结构,从而显著降低器件的封装热阻,提高器件的温度等级,实现了一种最高工作温度达200℃的高速数据采集与处理系统级封装。该系统级封装由数字信号处理（DSP）、现场可编程门阵列（FPGA）、模拟-数字转换器（ADC）及存储器等外围器件组成,具有模拟信号数据采集、数字信号处理、串行通信、多路数字输入检测和输出控制等功能,其中差分输入模拟信号的最大可允许电压峰峰值为4 V,所用12 bit ADC最高采样频率为20 MHz,数据存储深度最大可配置为144 kbit,测试表明其在25-200℃环境温度内,信号幅度的变化在0.4 dB内,较好地解决了高温测井仪器高速数据采集问题。

Vishay发布新款600VPFC高频整流器

Vishay新推出的600V FRED PtTM Hyperfast串级整流器8S2TH06I—M具有极快的反向恢复时间、低前向电压降和低封装热阻，可减少存高效的连续电流模式（CCM）功率因数校正（PFC）应用中的损耗。