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封装管壳密封性自动化检漏系统的设计与研究
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作者 周帅 翁章钊 +1 位作者 刘晓臣 欧熠 《控制工程》 CSCD 北大核心 2020年第6期1049-1054,共6页
根据封装管壳的密封性检测参数来设计自动化检漏系统。首先对封装管壳密封性自动化检漏系统中喷氦试验枪的直径、角度及长径比等关键参数进行设计验证;再从带动喷氦试验枪运动的控制系统及机械结构整体设计,研究制定了管壳密封试验中喷... 根据封装管壳的密封性检测参数来设计自动化检漏系统。首先对封装管壳密封性自动化检漏系统中喷氦试验枪的直径、角度及长径比等关键参数进行设计验证;再从带动喷氦试验枪运动的控制系统及机械结构整体设计,研究制定了管壳密封试验中喷氦时间及移动速度两个重要的自动化检漏参数,建立了封装管壳密封性自动化检测系统;最后,用小腔体封装管壳进行喷氦检漏试验,验证了自动化检漏系统运用在封装管壳密封性检测时的适用性及有效性,填补了现有封装管壳密封性检测标准的不足,也为其他产品自动化测试密封性提供了设计及测试思路。 展开更多
关键词 封装管壳 密封性 自动化检漏 系统设计 喷氦参数
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S波段小型管壳封装高增益高可靠功率放大器的设计 被引量:1
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作者 周全 《舰船电子对抗》 2017年第5期93-96,共4页
基于功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一种S波段小型管壳封装、高增益、高可靠线性功率放大器,采用微波薄膜混合集成电路工艺,双电源供电,将三级放大电路一体化集成到全密封金属管壳,阐述了功率放大器的高增益、高可靠、小体... 基于功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一种S波段小型管壳封装、高增益、高可靠线性功率放大器,采用微波薄膜混合集成电路工艺,双电源供电,将三级放大电路一体化集成到全密封金属管壳,阐述了功率放大器的高增益、高可靠、小体积设计。测试结果表明放大器功率增益29dB,1dB输出功率大于34dBm,功率附加效率大于38%,70℃壳温功率管芯结温101℃,外形尺寸13mm×21mm×5.5mm。技术指标满足设计要求,可靠性满足Ⅰ级降额设计。 展开更多
关键词 混合集成电路 功率放大器 S波段 金属管壳封装
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封装材料对压阻式加速度传感器性能的影响 被引量:1
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作者 李平 高世桥 +1 位作者 金磊 石云波 《爆炸与冲击》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期623-628,共6页
通过实验测试的方法研究分析封装材料对压阻式高量程加速度传感器性能的影响。对使用陶瓷材料和不锈钢材料封装的加速度传感器,利用拉曼光谱仪测试研究封装前后传感器结构中残余应力和压敏电阻阻值的变化,采用落锤、Hopkinson杆测试分... 通过实验测试的方法研究分析封装材料对压阻式高量程加速度传感器性能的影响。对使用陶瓷材料和不锈钢材料封装的加速度传感器,利用拉曼光谱仪测试研究封装前后传感器结构中残余应力和压敏电阻阻值的变化,采用落锤、Hopkinson杆测试分析传感器的灵敏度、高过载能力,并在实弹环境中测试不同封装传感器的测试精度的差别。实验结果显示,与陶瓷材料封装的压阻式加速度传感器相比,不锈钢材料封装的压阻式加速度传感器在封装后结构的残余应力和压敏电阻阻值的变化更大,但不锈钢封装传感器的灵敏度更大、高过载能力更强,同时实弹环境中可靠性和测试精度更高。 展开更多
关键词 固体力学 残余应力 拉曼光谱仪 压阻式加速度传感器 封装管壳材料
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一种非制冷红外探测器封装方法 被引量:1
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作者 吴慧 欧阳径桥 +1 位作者 徐春叶 王涛 《集成电路通讯》 2013年第3期30-33,共4页
通过设计尾部带气孔的管壳和新的封装工艺方法,即在常规的封装工艺基础上增加粘接制冷剂、粘接吸气剂、钎焊Ge玻璃、抽气、无氧铜抽气管钳封和钳封后密封加固几个工序,来达到非制冷红外探测器的真空封装要求。
关键词 非制冷管壳真空封装
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单芯片封装与多芯片封装展望 被引量:1
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作者 张光远 《电子与封装》 2001年第1期11-15,共5页
综述了近几年国内、外在单芯片封装和多芯片封装方面的概况和发展趋势,提出了今后几年我们在封装领域技术研究的建议。
关键词 微电子封装 单芯片封装 多芯片封装 高密度封装 管壳系统封装 三维封装 多芯片模块
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2-6 GHz小型化、高效率GaN功率放大器 被引量:1
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作者 刘健 张长城 +3 位作者 崔朝探 李天赐 杜鹏搏 曲韩宾 《电子与封装》 2023年第9期50-54,共5页
基于GaN功率放大器小型化、轻薄化的发展趋势,选用陶瓷方形扁平无引脚(CQFN)管壳封装,设计了一种2~6GHz宽频带、小尺寸、高效率的功率放大器,并阐述了设计方法和研制过程。随着器件功率密度的不断升高,散热问题成为设计中不可忽略的因素... 基于GaN功率放大器小型化、轻薄化的发展趋势,选用陶瓷方形扁平无引脚(CQFN)管壳封装,设计了一种2~6GHz宽频带、小尺寸、高效率的功率放大器,并阐述了设计方法和研制过程。随着器件功率密度的不断升高,散热问题成为设计中不可忽略的因素,分别采用热仿真分析及红外热成像测试方法,得到功率放大器芯片的最高温度为198.61℃,能满足散热需求。功率放大器尺寸为7.0mm×7.0mm×1.2mm,在连续波测试条件下,漏极电压为28V,工作频带为2~6GHz,饱和输出功率大于40.5dBm,功率增益大于23dB,功率附加效率大于35%,测试结果均满足实际需求。 展开更多
关键词 GaN功率放大器 陶瓷方形扁平无引脚管壳封装 小型化 高效率 热仿真分析
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微波集成电路、毫米波集成电路
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《电子科技文摘》 2001年第5期18-18,共1页
0107584MMIC 封装管壳热传导效应的快速分析方法[刊]/程峰//微波学报.—2000,16(5).—475~479(K)本文应用有限差分法数值求解热传导方程分析封装管壳的热传导效应,利用广义特征值法建立温度计算值的复指数模型,用以拟合当前时间步并预... 0107584MMIC 封装管壳热传导效应的快速分析方法[刊]/程峰//微波学报.—2000,16(5).—475~479(K)本文应用有限差分法数值求解热传导方程分析封装管壳的热传导效应,利用广义特征值法建立温度计算值的复指数模型,用以拟合当前时间步并预测出以后时间步的温度变化特性,可以克服单纯应用有限差分法求解耗时巨大的缺点,从而大大提高计算效率。 展开更多
关键词 微波集成电路 有限差分法 热传导效应 封装管壳 广义特征值 快速分析方法 时间步 数值求解 微波学报 方程分析
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