本文对扇出型晶圆级封装(Fan out Wafer Level Package,FOWLP)组装工艺的热可靠性进行仿真评价,对关键技术及失效机理进行分析,针对某款基于该项技术的典型封装结构,建立其1/4结构有限元仿真模型,并对在典型军用温度循环条件下的热可靠...本文对扇出型晶圆级封装(Fan out Wafer Level Package,FOWLP)组装工艺的热可靠性进行仿真评价,对关键技术及失效机理进行分析,针对某款基于该项技术的典型封装结构,建立其1/4结构有限元仿真模型,并对在典型军用温度循环条件下的热可靠性进行仿真分析。通过分析FOWLP关键结构在典型航天器用热循环条件下的应力及位移情况,确定了可能引起扇出型晶圆级封装失效的可靠性薄弱点。展开更多
圆片级真空封装是提高微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)电场传感器品质因数及批量化制造效率的重要途径.本文提出了一种基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)-玻璃体上硅(Silicon On Glass,SOG)键合的圆片...圆片级真空封装是提高微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)电场传感器品质因数及批量化制造效率的重要途径.本文提出了一种基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)-玻璃体上硅(Silicon On Glass,SOG)键合的圆片级真空封装MEMS电场传感器,设计并实现了从传感器敏感结构制备到真空封装的整套圆片级加工工艺.本文建立了传感器的结构电容模型,进行了有限元仿真,分析了传感器的特性,突破了传感器微结构制备与释放、SOI与SOG键合等工艺技术难点.该传感器具有工作电压低、品质因数高的突出优点.实验结果表明,工作电压仅为5 V直流与0.05 V交流电压.在60天测试过程中,传感器品质因数始终保持在5000以上.在0~50 kV/m范围内,传感器灵敏度为0.15 mV/(kV/m),线性度为2.21%,不确定度为4.74%.展开更多
文摘本文对扇出型晶圆级封装(Fan out Wafer Level Package,FOWLP)组装工艺的热可靠性进行仿真评价,对关键技术及失效机理进行分析,针对某款基于该项技术的典型封装结构,建立其1/4结构有限元仿真模型,并对在典型军用温度循环条件下的热可靠性进行仿真分析。通过分析FOWLP关键结构在典型航天器用热循环条件下的应力及位移情况,确定了可能引起扇出型晶圆级封装失效的可靠性薄弱点。
文摘圆片级真空封装是提高微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)电场传感器品质因数及批量化制造效率的重要途径.本文提出了一种基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)-玻璃体上硅(Silicon On Glass,SOG)键合的圆片级真空封装MEMS电场传感器,设计并实现了从传感器敏感结构制备到真空封装的整套圆片级加工工艺.本文建立了传感器的结构电容模型,进行了有限元仿真,分析了传感器的特性,突破了传感器微结构制备与释放、SOI与SOG键合等工艺技术难点.该传感器具有工作电压低、品质因数高的突出优点.实验结果表明,工作电压仅为5 V直流与0.05 V交流电压.在60天测试过程中,传感器品质因数始终保持在5000以上.在0~50 kV/m范围内,传感器灵敏度为0.15 mV/(kV/m),线性度为2.21%,不确定度为4.74%.