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题名压接型IGBT器件封装退化监测方法综述
被引量:15
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作者
李辉
刘人宽
王晓
姚然
赖伟
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机构
输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)
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出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第12期2505-2521,共17页
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基金
国家自然科学基金-智能电网联合基金重点资助项目(U1966213)。
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文摘
压接型IGBT器件是智能电网中大容量电力电子装备的基础核心器件,其可靠性直接关系到装备及电网的运行安全,而封装失效是其主要失效模式,封装退化监测是实现其故障诊断、状态预测及智能运维的关键。针对现有研究大多侧重于传统焊接型IGBT器件封装退化监测的问题,该文以压接型IGBT器件为研究对象,首先,介绍压接型IGBT器件封装结构;然后,系统分析微动磨损失效、栅氧化层失效、接触面微烧蚀失效、边界翘曲失效、弹簧失效、短路失效、开路失效共七种封装失效模式及对应的封装退化监测方法,并提出现有监测方法存在的问题;最后,从封装退化表征及评估、非接触式监测、高灵敏度监测三个方面,展望压接型IGBT器件封装退化监测新思路。
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关键词
压接型IGBT
封装退化监测
失效模式
可靠性
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Keywords
Press-pack IGBT
package degradation monitoring
failure modes
reliability
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分类号
TM23
[一般工业技术—材料科学与工程]
TM930
[电气工程—电力电子与电力传动]
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