封闭式电子回旋共振等离子体低温沉积SrTiO_3膜

在室温条件下 ,用封闭式电子回旋共振 (MCECR)等离子体溅射方法沉积了SrTiO3(STO)膜 .用Ar等离子体在Si基片上溅射的STO膜是非晶的 ,然而用Ar/O2 等离子体在Pt/Ti/SiO2 /Si上溅射的是充分结晶的STO膜 .为了使非晶薄膜结晶 ,用电炉加热或 2 8GHz微波辐射对非晶STO膜进行退火处理 .采用微波辐射 ,使基片温度为 5 73K时 ,在Si上的STO膜退火后的介电常数大约为 2 6 0 ,这值近似等于块状STO材料的介电常数 .由于微波辐射能够降低薄膜的退火温度和提高薄膜的电特性 。