SiGe的BiCOMS技术的S波段低噪声放大器的设计(英文)

文中介绍了一种基于锗硅BICMOS的宽带低噪声放大器的设计。此放大器工作在2.7 GHz～3.5 GHz的频带,采用0.18μm的锗硅工艺和cascode结构来增加其反向隔离度,并且使用了射极电阻负反馈和电阻并联反馈改善其带宽和线性度。仿真结果展示了其在通带范围内16.3 dB的增益和小于-10 dB的端口反射。此放大器噪声系数为2.8 dB左右,并使用5 V电源电压。

Multisim10在电子线路基础课程中的应用

本文介绍了Multisim10在各类职业院校、中职教育的电子电子线路基础课程中的应用,对当前电工电子教学现状进行了分析并提出了解决方案,具体说明了Multisim10在电路仿真及辅助教学中的作用。