^(142)La活度及主要γ射线发射几率实验测量

利用数字符合方法对短寿命核素142La的活度和641 keV的γ射线绝对发射几率进行了实验测量。142La活度测量结果的合成标准不确定度小于0.46%,641.285 keV的γ射线发射几率测量结果为0.473±0.005(k=1),与《同位素表》第8版推荐数据0.474±0.005的相对偏差为-0.24%。此外,还依据γ射线发射几率测量工作中获取的数据,得到了142La的半衰期为(91.0±0.7)min,与《同位素表》第8版推荐数据(91.1±0.5)min的相对偏差小于0.2%。

^(88)Kr γ射线发射几率的测量

利用轻质海绵为填充材料,采用小体元分割法制备混合标准源,完成了高纯锗γ探测器对放射性气体源效率的校准。采用活性碳低温吸附法从235 U的裂变产物中快速提取放化纯88 Kr,并制成气体密封源,采用上述校准的高纯锗γ探测器对其进行了实验测量。利用放射性暂时平衡原理,通过子核88 Rb的活度计算得到了88 Kr的活度,进而计算出88 Kr各γ射线的发射几率,其结果的不确定度与评价值相比明显降低。

基于PILATUS探测器的von Hamos构型X射线发射谱谱仪及数据获取

高能量分辨X射线发射谱(X-ray Emission Spectroscopy,XES)比常规X射线吸收精细结构谱(X-ray Absorption Fine Structure,XAFS)具有更高的能量分辨率,是探究物质精细电子结构的有力工具。PILATUS探测器是一种没有暗电流和读出噪声的单光子计数探测器,基于该探测器,在上海光源BL14W1线站搭建了一套von Hamos构型XES谱仪及数据获取系统,能量分辨率达到eV量级,接近此类构型光谱仪的世界先进水平。该光谱仪采用PILATUS探测器作为位置灵敏探测器使用,并结合线站单色器和KOHZU平台系统开发了一套基于LabVIEW软件的XES数据获取系统。对光谱仪系统进行了能量分辨率测试和CuO发射谱测量实验,获得样品发射的能量为8046 eV弹性散射峰的半高宽(Full-Widthat Half Maximum,FWHM)为1.67 eV,表明基于PILATUS探测器的von Hamos构型XES谱仪系统可以满足高能量分辨实验的需求。

Mn掺杂ZnO薄膜的软X射线发射光谱研究

利用先进光源(ALS)8.0.1光束线的软X射线荧光谱仪,对采用分子束外延(MBE)设备在200℃下生长的Zn0.97Mn0.03O和Zn0.67Mn0.33O薄膜样品进行了电子结构的研究.根据共振和非共振Mn L2,3边的X射线发射光谱,计算出Mn L2与Mn L3发射峰相对积分强度的比值(I(L2)/I(L3)),可知样品的铁磁性与自由d载流子的数目有关.在Zn0.97Mn0.03O中,Mn主要处于替代位置,并表现出较强的Coster-Kronig(C-K)跃迁效应,这说明样品中存在大量的自由d载流子.这些非局域的d载流子的行为类似于巡游电子,与Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosid(RKKY)模型下计算得出的间隙Mn提供的4s电子,都可成为铁磁交换作用的媒介.在Zn0.67Mn0.33O中,自由d载流子的数目较少以及MnO团簇的存在是导致铁磁性向反铁磁性转变的主要原因.

软X射线发射光谱法研究过渡金属硅化物的价电子能带结构

用软 X射线发射光谱法对 Mn Si、Mn Si1.7这两种组成的过渡金属锰硅化物的价电子能带构造进行了研究 .首先在硅表面上形成了 Mn Si、Mn Si1.7单一相薄膜 ,并用 X射线衍射谱得到证实 .然后测量了这两种锰硅化物的软 X射线发射光谱 Si- Kβ发射光谱和 Si- L2 ,3发射光谱 ,Si- Kβ发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- p部分电子态密度 ,而 Si- L2 ,3发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- s,d部分电子态密度 .Mn Si、Mn Si1.7的 Si- L2 ,3发射光谱具有不同的形状 .这些不同形状的原因 ,对比着这两种硅化物的晶体结构和价电子的能带结构进行了分析与讨论 .

^(101)Moγ射线发射几率测定

101Mo是裂变燃耗诊断的重要核素之一,它的半衰期短,准确测定101Mo核衰变数据的难度大。本工作采用强度平衡法和全程记录法测量101Mo和101Tc的γ射线发射几率Pγ。101MoPγ的强度平衡法测量结果比全程记录法的测定结果高5%,而101TcPγ的两种方法测定结果在不确定度范围内一致。有关101Mo的γ射线发射几率测量方法及其测定值有待进行进一步研究和测定。

^(155)Eu衰变γ射线发射几率的精确测量

经堆中子辐照过的^(154)Sm样品,用阳离子交换法分离纯化,得到^(155)Eu核素。用4πβ-γ符合法测量放射性活度和用小平面Ge探测器测量^(155)Eu衰变发射的γ光子数,精确测定了γ射线的发射几率。对于强γ射线和弱γ射线的不确定度分别为1.7％和4.5％。与文献报道值相比较,本测量结果明显改善。

^(161)Tb低能γ射线发射几率的精确测量

利用4疴-γ符合装置和低能光子谱仪精确测量了161Tb衰变γ射线的发射几率。对于25.7 keV、48.9 keV和74.6 keV的低能γ射线,测定结果分别为0.2327 0.0053、0.1700 0.0031和0.1001 0.0019。表明本测量结果的不确定度明显减小。

^87Krγ射线发射几率的测定

用相对效率为60％的HPGe探测器测量。^87Kr的相对γ射线发射几率和用内充气正比计数管绝对测量。^87Kr放射性浓度。实验上测得了。^87Krγ射线发射几率。其中，402．6keVγ射线发射几率的测量结果为（49．9±1．2）％。

铀基体中^(237)U208keV γ射线发射率的精确测定

运用高比放射性177Lu及主要γ射线能量(208.3664keV)与237U208.000keVγ射线的高度近似性,对U样品中208keVγ射线发射率测量中的自吸收效应,进行了校正。通过测量几何的安排,使级联γ射线的合峰效应可忽略。此法可用于高原子序数物质中低能γ射线发射率的测定。

^(182)Taγ射线发射概率的测定

^(182)Ta发射低能和高能两组γ射线,半衰期适中,是HPGe探测器效率刻度的合适标准源之一。本工作通过反应堆活化得到了^(182)Ta放射源,制备了VYNS薄膜源。活度由4πβ+4πγ计数相加装置绝对测量,γ射线的发射率由已刻度效率曲线的HPGe探测器测量,从而得到了γ射线绝对发射概率,不确定度为0.6～1.5%。

^(109)Cdγ射线发射率的比对测量

一、序言^(109)Cd核素是用于低能范围刻度Ge探测器较理想的标准源。我们利用新建的薄窗闭端同轴Ge和平面高纯Ge探测器系统参加了中国计量科学院组织的^(109)Cd核素活度比对测量,随后又测量了BIPM组织的国际比对^(109)Cd标准溶液。我们的结果是比较好的,在误差范围内和国际比对结果较好的符合。

^(134)Cs衰变γ射线发射率的测量及一个简单的符合格加修正方法

借助一套高性能的多道计算机γ谱仪系统，精确测量了￣（１３４）衰变γ射线的绝对发射率和相对发射率。并且使用了一个简单的符合相加修正方法，对￣（１３４）Ｇｓ衰变的两条主要的级联γ射线的符合相加进行了修正，获得了较好的结果。

ICF靶硬X射线发射角分布实验观察

介绍了“神光－Ｉ”ＩＣＦ实验中硬Ｘ射线发射角分布实验观察结果，做了简单讨论并与国外同类实验结果做了比较。

正电子发射/X射线计算机断层成像系统的电磁兼容及测试技术

正电子发射/X射线计算机断层成像系统为很多患者提供了帮助,在癌症筛查和诊断方面为医生的判断提供了重要依据,作为大型永久性安装医用电气设备,正电子发射/X射线计算机断层成像系统的电磁兼容问题不容忽视,在审评注册前应确保其通过电磁兼容检测,符合电磁兼容标准要求。本文针对正电子发射/X射线计算机断层成像系统与电磁兼容国家标准进行论述。

超强激光超热电子激发的KαX射线发射研究

建立了无色散型X射线谱仪.利用SILEX-I激光装置的超强激光辐照固体物质,分别在靶前、后定量测量了Cu和Mo物质在不同激光功率密度时的X射线谱和Kα光子产额,推导了不同激光强度时的KαX射线光子转换效率.实验发现,打靶激光能量越高,靶后出射的Kα产额越高,100μmMo靶可获得10-5量级转换效率.

电子加速器X射线发射率的MCNP分析

为满足现代X射线应用和设计电子加速器的靶结构和束流参数的需要,采用MCNP4B程序对2～20MeV能量范围内的电子束入射不同厚度钨靶的X射线发射率进行了系统的模拟计算和研究。结果表明在电子能量小于10MeV时,MCNP4B的结果与NCRP-51报告一致,但在10MeV以上,它们间的差别增大。该文结果对早期NCRP-51报告的结果有重要的改进,对于现代产生X射线的电子加速器靶的设计具有参数作用。

超短强激光辐照Ar喷气靶的X射线发射

利用带差分抽运系统的高效高分辨率软 X射线大面积透射光栅光谱仪 ,对超短强激光脉冲辐照下氩气体靶的软 X射线发射特性进行了光谱诊断。测得了氩气 1 2 nm～ 35 nm范围内的 X射线发射光谱 ,并观察到

预脉冲激光对线状等离子体X射线发射特性的影响

报道了能量比为１１０、间隔为２００ｐｓ、脉冲宽度为１２０ｐｓ的双脉冲激光驱动线状等离子体的Ｘ射线发射特性。通过与单脉冲驱动情况比较，获得了预脉冲作用下，等离子体轴向辐射增强的空间分布特性。并针对若干重要的辐射跃迁的增强情况。