射频激励辉光放电粒子引入偏流、激发放射强度的增强系数

把直流偏流引入到辉光放射粒子中．可增大发射谱线强度。20-30mA的偏流电流通常可使拥有3—4ev激发能的原子谱线发射强度增加10-10倍。增强系数很大程度上取决于等离子气体压力和射频功率。具有大约5、7ev激发能的原子发射谱线强度提高很多，增强系数超过50。然而与等离子条件无关，当激发能超过7ev时，发射谱线强度增加很小．

射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜

采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。