RF偏置功率对磁控溅射AlN薄膜性能的影响

采用射频（RF）反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si（100）和Si（111）衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜（SEM）表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜（AFM）和X射线衍射仪（XRD）研究了RF偏置功率对Si（111）和Si（100）衬底上沉积的AlN薄膜微观结构和表面粗糙度的影响。结果表明,在RF偏置功率为5~15 W时,两种衬底均可生长（002）择优取向AlN薄膜。RF偏置功率为20 W时,AlN薄膜（002）择优取向变弱,薄膜质量变差。当RF偏置功率为10 W时,Si（111）和Si（100）两种衬底沉积的AlN薄膜的半高宽（FWHM）值和表面均方根粗糙度均最小,其表面均方根粗糙度的最小值分别为2.427和2.836 nm。

动态偏置射频功率放大器研究

分析了功率放大器输入输出响应特性与栅极偏置电路时间常数的关系,以及信号通过功率放大器后的矢量幅度误差(EVM)和邻信道功率抑制比(ACPR)。并基于MW4IC2230设计了工作于2GHz频段,输出33dBm的TD-SCDMA三载波射频功率放大器,以验证该关系。当动态偏置电路时间常数为1ms时,功率放大器输出EVM为2.5%,ACPR为?43dB。根据TD-SCDMA物理信道特点,提出对偏置电路的控制可以比传输信号起始时刻提前,当该提前量为1.5μs、动态偏置电路时间常数为1ms时,功率放大器输出EVM为1.8%,ACPR为?45dB,满足TD-SCDMA系统标准要求。

射频功率放大器在无线通信中的应用研究

近年来,随着国家科学技术的发展,人们对无线通信技术进行了更多的探索,并已有了一定的阶段性研究结果。目前,人们对高功率效率和高频谱利用率的重视程度越来越高。在这种时代背景下,射频(Radio Frequency,RF)功率放大器的线性化技术得到了人们的普遍认可,而且在实际应用中取得了比较好的效果,因此针对此项技术的应用情况展开讨论。

高效率E类射频功率放大器

研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMOS工艺实现了E类放大器的设计。

动态偏置射频宽带功放设计

射频宽带功率放大器是目前功率放大器的主要发展趋势。为了提高射频宽带功率放大器的增益平坦度与效率,采用推挽结构LDmos晶体管,使用ADS软件对动态偏置电路和匹配电路进行仿真设计。详细介绍了动态偏置功率放大器的工作原理及其实现方法。实现了多倍频程带宽、确保带内增益平坦、提高功率附加效率。仿真结果表明该功率放大器对于100MHz^400MHz的信号,在整个输入功率变化范围内,功率附加效率(PAE)与传统的功放相比提高了5~15%左右。

射频宽带功放动态偏置参数的自动生成

分析了影响射频宽带功率放大器输出功率平坦度的主要原因,提出采用动态偏置改善功率平坦度的设计方案,并重点介绍了以C8051F021为控制器,由PE4302、AT24C512等组成的动态偏置控制电路原理。基于自动测试技术,设计了动态偏置参数自动生成系统,测试结果表明,系统运行稳定,应用自动生成的动态偏置参数,功放的测量数据满足指标要求。

哈广10 kW DAM中波发射机射频系统工作原理

主要介绍哈广10 kW数字调幅(Digital Amplitude Modulation,DAM)中波发射机整个射频系统的组成,并对射频系统组成的各个部分的作用进行简要说明,同时介绍双频共塔实际线路的分析,对初次接触该发射机的同行从整体上形象认识该发射机的射频系统工作原理有一定的帮助。

NI发布基于PXI平台的射频功率放大器测试解决方案

2011年10月，美国NI公司近日在英国曼彻斯特的欧洲微波展上发布了完整的基于PXI平台的解决方案，用于RF功率放大器（PA）验证和生产测试。该解决方案充分体现了NI致力于为工程师提供快速、高效和准确的测试和测量解决方案的承诺。全球领先的市场研究公司Frost＆Sullivan同时指出，PXI市场规模有望于2017年达到10亿美元，NI也通过不断推进PXI模块化仪器的发展而推动PXI市场规模的增长。

NI发布基于PXI平台的射频功率放大器测试解决方案

美国国家仪器有限公司（NI）近日在英国曼彻斯特的欧洲微波展上发布了完整的基于PXI平台的解决方案，用于RF功率放大器（PA）验证和生产测试。该解决方案充分体现了NI为工程师提供快速、高效和准确的测试和测量解决方案承诺。全球领先的市场研究公司Frost＆Sullivan指出，PXI市场规模有望于2017年达到10亿美元。NI也通过不断推进PXI模块化仪器的发展而推动PXI市场规模的增长。

AD8318：射频功率检测器

对数RF功率检测器AD8318能够精确测量1MHp～8GHz带宽内RF信号的功率，这一带宽超过了以前的最高2．5GHz频率的测量精度。精确地测量RF功率可以减少代价很高的RF功率发送器的尺寸和成本，并且是满足无线网络管理要求的关键因素之一。该检测器能够保证高达8GHz的动态范围，这在以前是不可能实现的。

美国模拟器件公司射频功率检测器

美国模拟器件公司(Analog Devices)推出一款用于蜂窝手机的射频(RF)功率检测器——AD8312，它可使制造商在减小系统尺寸的同时进一步提高性能。这款低漂移AD8312可在很宽动态范围内实现精管，温度稳定的功能控制，

Microsemi开发下一代高电压高功率射频器件

美高森美公司发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频（Digital Radio Frequency，DRF）系列混合模块为基础，广泛应用于半导体加工、LCD玻璃涂层、太阳能电池生产、光学器件及建筑玻璃涂层、有害气体处理、CO2激光激发、MRIRF放大器、RF手术刀和感应加热等系统中。

艾法斯与Bird科技公司联合为Aeroflex3550射频测试系统增加新的RF测试功能

2013年3月-艾法斯公司（Aeroflex Incorporated）日前宣布：该公司已经为其业界领先的3550手持无线电综合测试仪添加了对B1rd出品的通过式宽带功率敏感器的支持。本次升级所增加的对包括B1rd5017在内的Blrd功率敏感器的支持，使3550可在外场功率测试中提高测量精度。Bird5017功率敏感器支持从25MHzNlGHz频率范围，其测试精度为读数的±4％。

艾法斯与Bird科技公司联合为Aeroflex3550射频测试系统增加新的RF测试功能

艾法斯控股公司旗下的全资子公司艾法斯公司（AeroftexIncorDorated）日前宣布：该公司已经为其业界领先的3550手持无线电综合测试仪添加了对Bird出品的通过式宽带功率敏感器的支持。本次升级所增加的对包括Bird5017在内的Bird功率敏感器的支持，使3550可在外场功率测试中提高测量精度。Bird5017功率敏感器支持从25MHz1GHz频率范围，

飞思卡尔通过射频功率LDMOS晶体管为广播电视发射器设立了新基准

飞思卡尔半导体宣布推出RF功率LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向UHF广播电视应用而设计。 MRFE6VP8600H与其上一代产品相比输出功率提高39%,其设计在满足ATSC、

高度集成2.4GHz射频（RF）前端CC2591

该产品集成了可将输出功率提高＋22dBm的功率放大器以及可将接收机灵敏度提高＋6dB的低噪声放大器，从而能够显著增加无线系统的覆盖范围。

NI发布基于PXI平台的射频功率放大器测试解决方案

美国国家仪器有限公司（National Instruments，简称NI）近日在英国曼彻斯特的欧洲微波展上发布了完整的基于PXI平台的解决方案，用于RF功率放大器（PA）验证和生产测试。

5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器

针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。

优化偏置点的SiGe功率放大器设计

采用0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,设计了应用于2.4 GHz频段无线局域网的功率放大器。着重测试分析了偏置点对放大器输出信号误差矢量幅度和效率的影响。发现通过优化偏置点,可提高功率放大器的最大线性输出功率和效率。电路采用三级单端放大结构,集成了偏置电路、输入匹配和级间匹配电路。在优化的偏置点下测试表明,在2.45 GHz频率处增益为26.6 d B,1 d B压缩点处输出功率为23.6 d Bm。对于IEEE 802.11 g 54 Mbit/s的调制信号,误差矢量幅度为5.6%时,线性输出功率达到16.6 d Bm。

基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计

采用2μm砷化镓(GaAs)异质结双极型晶体管(HBT)工艺设计和实现了一种3.3~3.8 GHz的高线性度射频(RF)功率放大器(PA)。采用了一种改进的有源自适应偏置电路结构,既提高了静态偏置电流的稳定性和可控性,又对增益压缩起到了抑制作用。优化了各级匹配网络,抑制了谐波分量的影响,在低电源电压下实现了较高的增益和良好的线性指标。仿真结果显示:测量的小信号增益大于33.4 dB;1 dB压缩点功率为31.3 dBm@3.55 GHz;功率附加效率超过30%@3.55 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-50 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.2 dB;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-40 dBc;输出功率为27.56 dBm时,相邻信道泄露比为-37.62 dBc。