不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性

无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性的影响,对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET由于掺杂浓度和传导方式不同导致的性能差异。结果表明,随着温度升高,载流子声子散射加剧,器件的寄生电容增加,导致器件的模拟/RF性能下降。体传导的JLNT-FET受到声子散射影响较小,所以其漏源电流受温度影响比表面传导的IMNT-FET小。另外,JLNT-FET的载流子迁移率受沟道重掺杂影响,导致其驱动能力和模拟/RF性能都比IMNT-FET差。研究结果对进一步优化这两类器件及其在电路中的应用具有一定的参考意义。

AlGaN背势垒对SiC衬底AlN/GaN HEMT器件的影响

利用相同器件工艺在两种不同材料结构上制备了Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了Al Ga N背势垒结构对器件特性的影响。测试结果表明,有背势垒结构的器件最大饱和电流密度和峰值跨导要小于无背势垒结构器件,栅压偏置为+1 V时,无背势垒的Al N/Ga N HEMT器件最大饱和电流密度为1.02 A·mm-1,峰值跨导为304 m S·mm-1,有背势垒结构的器件饱和电流密度为0.75 A·mm-1,峰值跨导为252 m S·mm-1。有背势垒结构器件的亚阈值斜率为136 m V/dec,击穿电压为78 V;无背势垒结构器件的亚阈值斜率为150 m V/dec,击穿电压为64 V。栅长为0.25μm有背势垒结构的器件电流截止频率高于无背势垒结构器件,最高振荡频率要低于无背势垒结构的器件。