SiGe半导体推出手机用WLAN射频前端模块

SiGe半导体公司日前推出专为手机应用而优化的全集成式WLANRF前端模块RangeCharget，共有两种型号：SE2551A和SE2557A，具有高性能、高集成度和低功耗等特性，能够确保手机支持WLAN功能之余不会影响外形尺寸、通话性能和电池寿命。

高性能声学滤波器技术研究进展

声学滤波器是当前射频前端模块中最核心元器件之一。随着第五代(5G)移动通信技术的深入推进,对滤波器的技术要求也不断提高。近年来,在一些新架构、新材料和先进建模技术的加持下,声学滤波器技术屡有突破,已研制出多种高性能声学滤波器。该文对高性能声表面波(SAW)和声体波(BAW)滤波器技术(包括UltraSAW、LowDrift TM和NoDrift TM、I.H.P SAW、XBAR TM、XBAW滤波器等)的研究情况进行了介绍与评述。最后对未来声学滤波器将面临的技术问题做了简要总结。

氮化铝压电微机电系统轮廓模式谐振器技术及应用

压电微机电系统(MEMS)为各种高性能滤波器、振荡器和传感器等提供了一个多功能平台。氮化铝(AlN)MEMS轮廓模谐振器(CMR)具有工作频率跨度大,品质因数高,体积小及能在单个芯片上集成多频器件且与集成电路(IC)技术兼容等优点,具有较好的应用前景。该文对AlN MEMS CMR的原理与典型结构、制备工艺及应用进行了综合性阐述,并分析了CMR技术未来的发展方向。

声表面波滤波器圆片级互连封装技术研究

射频前端模块是无线通信的核心,滤波器作为射频前端的关键器件,可将带外干扰和噪声滤除以保留特定频段内的信号,满足射频系统的通讯要求。本文总结了声表面波滤波器工作原理及其传统封装技术,提出了一种圆片级互连封装技术,采用曝光显影、电镀及印刷等工艺实现了芯片焊盘上铜金属层和焊球的形成,避免了芯片核心功能区IDT的损伤。对封装前后电性及上基板可靠性测试,结果表明该封装方案满足声表面波滤波器封装需要。本技术在声表面波滤波器封装方面有广阔的应用前景,适用于批量生产。