支持向量机在射频功率器件建模中的应用

针对现有射频功率器件建模方法的不足,运用支持向量机对射频功率器件进行建模.通过软件仿真对比了支持向量机和神经网络的不同结果,得出支持向量机建立的模型精确度更高,更适合小样本条件下的建模.并且针对实际测试中出现的特殊情况,提出引入领域知识的方法,将散射函数具有的约束条件同支持向量机结合,使得支持向量机具有相关领域知识的支撑.比较了原始和领域知识支持向量机建模的不同结果,得出领域知识支持向量机在该种情况下具有更好的模型精度.

新型的功率器件——射频LDMOS

射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。

应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET

根据空基相控阵雷达的工作环境 ,对 4H -SiC材料及SiC功率器件 (SiCMESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比 ,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiCMESFET改进型非线性大信号模型 ,这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析 。

射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构(英文)

提出一种二氧化硅 /多晶硅 /二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压 .模拟结果显示 ,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎 10 0

恩智浦正式启动高性能射频设计大赛

恩智浦半导体NXP近日宣布启动首届高性能射频设计大赛注册程序．诚邀世界各地的射频工程师和学生提交各种射频功率器件的应用创意。RF功率晶体管广泛用于电信、航空航天、广播基础设施领域以及各种工业、科学和医疗等领域，而随着RFLDMOS技术的功能更加强大、耐受力更高、成本更低，射频驱动灯等新型应用也成为了可能。

RF LDMOS功率器件研制

基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。

高性能图形化SOI功率器件的研制

利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS功率器件。器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB。直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景。

高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究

提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Radio Frequency Lateral Diffusion MOS)在TLP (Transmission Line Pulse)应力下的电学机理.利用0.18μm BCD (Bipolar/CMOS/DMOS)先进制程,实现了特定尺寸器件的设计与流片.通过实测与仿真的对比,发现静电放电失效的随机性、芯片内部的热效应是导致仿真和实测差异的非理想因素.通过对TLP仿真的各阶段重要节点的分析,证明了源极下方的P型埋层有利于提高空穴电流的泄放能力,从而提高RF-LDMOS的鲁棒性.

一种基于双工器的谐波有源负载牵引测试系统

大信号有源负载牵引测试系统是评估微波毫米波功率器件的非线性特性的重要手段。介绍谐波有源负载牵引测试的基本原理及其测试系统的基本结构,并设计一种基于低损耗同向双工器的谐波有源负载牵引系统。在不使用低通滤波器的情况下,对基波和谐波信号进行分离,简化谐波有源负载牵引在片测试系统,使测试系统传输路径损耗减小。实验验证表明:基波与谐波的隔离度约为25 dB,能对器件的非线性特性进行精确测试,器件的最大效率误差值在0.05%以内。

英飞凌以8．5亿美元的现金收购Wolfspeed

英飞凌科技股份公司和Cree公司近日宣布，英飞凌已签订最终协议．收购Cree旗下Wolfspeed功率和射频业务部《“Wolfspeed”）。这次收购还包括相关的功率和射频功率器件碳化硅晶圆衬底业务。这笔全现金交易的收购价格为85亿美元（约合74亿欧元）。

英飞凌以8.5亿美元的现金收购Wolfspeed

英飞凌科技股份公司和Cree公司日前宣布，英飞凌已签订最终协议，收购Cree旗下Wolfspeed功率和射频业务部。这次收购还包括相关的功率和射频功率器件碳化硅晶圆衬底业务。这笔全现金交易的收购价格为8．5亿美元（约合7.4亿欧元）.

卷首语

每年一届的IEEE功率半导体器件及功率集成电路国际会议（ISPSD）,较集中地反映世界各国在功率半导体器件和功率集成电路领域中部分研究与开发的最前沿状况。其内容包括新结构功率半导体器件、功率集成电路、功率模块、功率系统集成、射频功率器件、新材料器件等功率器件的所有分支。它是相关专家、学者和工程师进行接触和交流的平台,

英飞凌 以8．5亿美元的现金收购Wolfspeed

2016年7月14日，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX OTCQX：IFNNY）和Cree公司（Nasdaq：CREE）宣布，英飞凌已签订最终协议，收购Ctee旗下Wolfspeed功率和射频业务部（“Wolfspeed”）。这次收购还包括相关的功率和射频功率器件碳化硅晶圆衬底业务。这笔全现金交易的收购价格为8．5亿美元（约合7．4亿欧元）。