射频反应溅射CdIn_2O_4膜制备过程中氧浓度对光学性质的影响

采用射频反应溅射方法在Ａｒ＋Ｏ２气氛中制备了ＣｄＩｎ２Ｏ４薄膜，报道了在不同氧浓度下该膜的透射率和折射率随波长的变化关系。发现氧浓度越高，膜透射率越低，而消光系数、折射率相应地越大。对这些结果从ＣＩＯ膜的晶格常数、载流子浓度等角度进行了理论分析。

热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响

以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响．实验表明，热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径，样品经７００℃退火后，发射电流的涨落从未退火前的１３５μＡ下降到２０μＡ；并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性．文中认为，退火处理造成了薄膜结构的变化，引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变，进而影响了其发射特性．

FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究

采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（002）取向的基片温度在380℃～400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式，要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0．3～0．4，氮气分压比高有利于（002）取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率，且与氮气分压关联，较合适的值为12W／cm^2～15W／cm^2。

射频反应溅射Ge_xC_（1－x）薄膜的特性

射频反应溅射Ｇｅ_ｘＣ_（１－ｘ）薄膜的特性刘正堂，朱景芝，许念坎，郑修麟（西北工业大学材料科学与工程系，西安，７１００７２）［摘要］通过在Ａｒ＋ＣＨ４气体中的射频反应溅射法制备出ＧｅｘＣ（１－ｘ）薄膜。利用俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射、光度计及硬度测定等...

射频反应溅射氧化铌薄膜的电致变色性能研究

采用射频反应溅射法成功地制备了非晶态氧化铌薄膜,研究了它们的电致变色性能.这些薄膜在漂白态透明无色,而着色态则为灰褐色.循环伏安测试结果表明该薄膜具有良好的稳定性和很好的锂离子注入/抽出性能.550nm处的着色效率为16.68cm2/C,在可见光区透过率调制幅度为20%～30%.结合X光电子能谱(XPS)分析可以认为氧化铌薄膜的电致变色现象是由于锂离子和电子的共同注入与抽出,导致薄膜中的铌离子发生Nbv和NbIV间的可逆氧化、还原反应引起的.

射频反应溅射SiO_2薄膜的研究

研究反应气体（Ｏ_２）含量及基片温度对射频反应溅射ＳｉＯ_２膜光学性能及沉积速率的影响，并给出了膜层俄歇能谱分析结果。

低真空射频反应溅射 Ta_2O_5 减反射薄膜及其光伏应用

在低真空下，用射频反应溅射法在硅片和硅太阳电池上制备理想配比的非晶Ｔａ２Ｏ５减反射薄膜。测定表明，其减反射性能良好。

射频反应溅射中N2分量对TiN薄膜性质的影响

用射频反应溅射的方法制备了TiN薄膜，其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中N2分量有直接关系。随着N2分量由5％增加到50％，薄膜先是呈现（111）的择优取向，后是呈现（200）的取向，最后没有衍射峰出现，结构趋于无定型，于此同时，电阻率也由接近金属的良好导电性变为半导体的导电性。

BCN薄膜的射频反应溅射法制备与结构特性

本文研究以六方BN为靶材,CH4为反应气体,利用射频溅射技术制备BCN三元化合物薄膜.样品的结构由X射线衍射谱、傅立叶变换红外吸收谱和X射线光电子能谱等方法进行表征.实验结果表明样品是具有类石墨涡旋蜂窝状结构的BCN三元化合物.通过改变CH4分压,能够控制薄膜中的C含量:随CH4分压的增高,薄膜中C含量增大,电导率也显著增大.当CH4分压比在10%附近时,样品呈现半导体特性,由电导率-温度关系曲线求得电导激活能约为0.8eV.

射频反应溅射a—Ge_(1-x)C_x∶H薄膜的红外谱分析

a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着十分重要的应用前景。对于一个高效率叠层太阳电池来说,其关键之一是要获得一种具有高光敏性且 Eopt 小于1.5eV 的窄带隙底部电池材料。目前人们是把 Ge 或 Sn 掺入 a-si∶H 中,获得了窄带隙材料 a Si_(1-x)

射频反应溅射法制备SnO_(2-x)纳米薄膜的气敏特性研究

采用射频反应溅射法在不同氧气分压下制备SnO2-x薄膜,然后在不同温度下对其进行退火处理.利用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征技术,研究了制备条件对SnO2-x薄膜的结晶性能和表面形貌的影响.研究结果显示,当氧气分压为50%时,可以制备出质量较高的SnO2-x纳米薄膜.当退火温度从450℃升高到550℃,样品的电阻率降低.退火温度500℃的样品在工作温度225℃时,对乙醇有较高的灵敏度,灵敏度达67%,对丁烷的灵敏度不高.

射频反应溅射纳米SnO_2薄膜气敏特性研究

采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.

低温衬底的射频反应溅射法制备a-SiO_2薄膜的研究

低温衬底使器件在制膜过程中避免热伤害． 研究得到强水冷衬底的射频反应溅射法制备ａ－ＳｉＯ２ 薄膜的最佳工艺条件． 所制得的薄膜具有好的致密度和抗腐蚀性．

射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性

用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.

射频反应溅射制备倾斜AlN薄膜

采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AlN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°。

射频反应溅射制备MgO二次电子发射薄膜

采用氧化激活AgMg合金在表面形成MgO薄膜,以及采用射频反应溅射沉积法在不锈钢基片上分别制备了MgO薄膜和掺杂CoO的MgO薄膜,研究了制备工艺对薄膜二次电子发射系数及耐电子束轰击能力的影响.结果表明,薄膜厚度对其耐电子束轰击能力有显著影响,随着薄膜厚度的增加,耐电子束轰击能力明显增强,而射频反应溅射沉积可通过调整镀膜时间获得不同厚度的MgO薄膜.射频反应溅射的氧分压比对MgO薄膜表面质量有较大影响,随着沉积过程中氧分压比增大,MgO薄膜表面粗糙度增大,不利于二次电子发射.CoO掺杂改善了MgO薄膜表面质量,使其表面更加平整、光滑,提高了薄膜的二次电子发射系数,而且降低了薄膜表面质量对氧分压比变化的敏感性.550℃真空热处理1h使CoO掺杂的MgO薄膜发生热分解失氧且表面质量变差,导致二次电子发射系数大幅下降.在沉积过程中,提升基片温度或提高氧分压,会使薄膜中存在金属态Mg且薄膜表面质量变差,使二次电子发射系数小幅下降.

射频磁控反应溅射法制备Y_2O_3薄膜的工艺研究

采用射频磁控反应溅射法制备氧化钇(Y2O3)薄膜。系统研究了工艺参数对Y2O3薄膜沉积速率的影响规律,使用X射线光电子能谱仪(XPS)分析表征了薄膜的成分。结果表明,Y2O3薄膜的沉积速率随射频功率的增大而增大,在合适的溅射压强下沉积速率呈现极大值,O2/Ar气体流量比和衬底温度的影响不明显,对此从理论上进行了解释。制备的薄膜中Y和O元素的原子浓度基本符合Y2O3的化学计量比。

射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜的工艺研究

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在不锈钢和单晶Si基片上成功地制备了氧化铝A(l2O3)薄膜,并对氧化铝薄膜的沉积速率、结构和表面形貌进行了研究。结果表明,沉积速率随着射频功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大;随着溅射气压的增加,沉积速率先增大,在一定气压时达到峰值后继续随气压增大而减小,同时随着靶基距的增大而减小;随着氧气流量的不断增加,靶面溅射的物质从金属态过渡到氧化物态,沉积速率也随之不断降低。X射线衍射图谱表明薄膜结构为非晶态;用原子力显微镜对薄膜表面形貌观察,薄膜微结构为柱状。

射频磁控反应溅射制备Y_2O_3薄膜沉积分布的研究

金刚石具有高透过率、高热导率、高的化学和热稳定性以及优异的力学性能,是制造高速飞行器红外窗口和头罩的理想材料。然而,在高速飞行时,由于空气动力加热会产生很高的温度,使金刚石迅速发生氧化,导致透过率急剧下降。为此,需要在金刚石表面制备抗氧化增透涂层。本文采用射频磁控反应溅射法制备Y2O3薄膜,观察了薄膜的沉积分布,并通过电磁场理论对沉积分布进行了探讨,结果表明:在腔体内的电场线分布是导致薄膜厚度周期性变化的主要因素。

射频磁控反应溅射氧化硅薄膜微结构和电击穿场强研究

采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058 nm下降至0.785 nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414 nm降低至5.046 nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高,薄膜的绝缘性能显著增强。