提出一种在欠采样条件下的经过混合结构设计的射频发射机线性化方法。该方法基于欠采样频率选择性的非线性模型来校正调制器产生的镜像干扰信号以及射频功率放大器的互调失真信号。实验结果表明LTE的70 MHz双载波信号在发射机采样速率从...提出一种在欠采样条件下的经过混合结构设计的射频发射机线性化方法。该方法基于欠采样频率选择性的非线性模型来校正调制器产生的镜像干扰信号以及射频功率放大器的互调失真信号。实验结果表明LTE的70 MHz双载波信号在发射机采样速率从491.52 Ms/s降低至122.88 Ms/s时使用该组合方法较之前方法有10 d B的归一化最小均方误差改善以及10 d B的邻道功率泄露比抑制改善。展开更多
本文阐述了一种超低功耗S-OOK调制的超宽带短脉冲(I mpul se Radi o Ul t r a-Wi de Band,I R-UWB)射频发射机(RF Tr ans mi t t er)芯片。本发射机芯片基于一种新型的基于自同步的S-OOK调制方式,有效解决了由于同步所带来的额外电路开...本文阐述了一种超低功耗S-OOK调制的超宽带短脉冲(I mpul se Radi o Ul t r a-Wi de Band,I R-UWB)射频发射机(RF Tr ans mi t t er)芯片。本发射机芯片基于一种新型的基于自同步的S-OOK调制方式,有效解决了由于同步所带来的额外电路开销。通过开关切换片内电源电压节省功耗,本I R-UWB发射机控制功耗较大的高频振荡器和输出缓冲器周期间歇性地以极短时间工作,极大地节省了发射机的功耗。通过新型的自校准偏置电路,使得本发射机产生的基带超短脉冲可以有效抵抗工艺、温度的变化。整个I R-UWB发射机芯片DC能量消耗为65p J,发射每个脉冲的能量消耗为184μW/PRF,发射机输出能量效率为10.4%,是一款超低功耗、高集成度的射频发射机芯片。展开更多
文摘提出一种在欠采样条件下的经过混合结构设计的射频发射机线性化方法。该方法基于欠采样频率选择性的非线性模型来校正调制器产生的镜像干扰信号以及射频功率放大器的互调失真信号。实验结果表明LTE的70 MHz双载波信号在发射机采样速率从491.52 Ms/s降低至122.88 Ms/s时使用该组合方法较之前方法有10 d B的归一化最小均方误差改善以及10 d B的邻道功率泄露比抑制改善。
文摘本文阐述了一种超低功耗S-OOK调制的超宽带短脉冲(I mpul se Radi o Ul t r a-Wi de Band,I R-UWB)射频发射机(RF Tr ans mi t t er)芯片。本发射机芯片基于一种新型的基于自同步的S-OOK调制方式,有效解决了由于同步所带来的额外电路开销。通过开关切换片内电源电压节省功耗,本I R-UWB发射机控制功耗较大的高频振荡器和输出缓冲器周期间歇性地以极短时间工作,极大地节省了发射机的功耗。通过新型的自校准偏置电路,使得本发射机产生的基带超短脉冲可以有效抵抗工艺、温度的变化。整个I R-UWB发射机芯片DC能量消耗为65p J,发射每个脉冲的能量消耗为184μW/PRF,发射机输出能量效率为10.4%,是一款超低功耗、高集成度的射频发射机芯片。