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Fe/In_2O_3/Fe多层膜的磁性及巨磁电阻效应
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作者 黄宝歆 王军华 +1 位作者 张汝贞 张林 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2002年第5期1-3,26,共4页
采用射频溅射方法成功制备了由过渡族元素Fe和半导体材料In2O3交替生长构成的Fe/In2O3/Fe多层膜。室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;磁电阻比的最大值为2.93%,遵从颗粒膜磁电阻的平方律。上述实验结果表明该多... 采用射频溅射方法成功制备了由过渡族元素Fe和半导体材料In2O3交替生长构成的Fe/In2O3/Fe多层膜。室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;磁电阻比的最大值为2.93%,遵从颗粒膜磁电阻的平方律。上述实验结果表明该多层膜样品具有类似于颗粒膜的结构。 展开更多
关键词 巨磁电阻效应 Fe/In2O3/Fe多层膜 巨磁电阻效应 磁电阻 超顺磁性 颗粒膜 射频溅射方法
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