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微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ.射频烧毁
1
作者
袁泽亮
范垂祯
《真空与低温》
1994年第4期187-190,共4页
采用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。
关键词
微波
砷化镓
功率场效应
晶体管
射频烧毁
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职称材料
题名
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ.射频烧毁
1
作者
袁泽亮
范垂祯
机构
兰州物理研究所
出处
《真空与低温》
1994年第4期187-190,共4页
文摘
采用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。
关键词
微波
砷化镓
功率场效应
晶体管
射频烧毁
Keywords
Microwave GaAs power FET(field effect'transistor),RF burnout,thermal and electrical transient state,thermal runaway.matching feature。
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN385 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ.射频烧毁
袁泽亮
范垂祯
《真空与低温》
1994
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