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微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ.射频烧毁
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作者 袁泽亮 范垂祯 《真空与低温》 1994年第4期187-190,共4页
采用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。
关键词 微波 砷化镓 功率场效应 晶体管 射频烧毁
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