射频电感耦合闭式等离子体产生与光谱诊断的实验

设计了一种闭式等离子体发生装置,采用射频电感耦合方式,以氩气为工作气体,在封闭式腔体低气压环境下进行放电实验。利用发射光谱法,测量了密闭腔体侧面方向的Ar谱线数据,研究了等离子体电子激发温度和电子密度随空间位置的分布规律以及不同射频功率对电子激发温度和电子密度的影响。等离子体中电子激发温度的变化通过玻尔兹曼斜率法进行分析,电子密度的变化则通过分析Ar原子750.4nm谱线强度变化获得。实验结果表明,该发生装置能够产生均匀持续的等离子体层,等离子体中电子激发温度约为9 500K。等离子体电子密度和电子激发温度随着输入射频功率的增加而增大,但变化幅度在减弱;当足够的输入功率时,等离子体层参数随位置的变化幅度较小。

射频电感及其测量

无线通信的迅速发展,对高质量的射频电感的需求越来越迫切,如何快速、准确地测量射频电感成为生产和应用的一大难题。本文介绍射频电感器件及其测量方法。

金属线宽及线间距渐变的射频螺旋电感(英文)

为减少射频螺旋电感的金属导体损耗,提出了一种电感金属线宽及金属间距从外到内逐渐变小的新颖结构.与传统的固定金属线宽和间距的电感相比,该渐变结构电感涡流效应的影响较小,金属导体损耗减小,从而降低其串联电阻,品质因子Q值提高.实验结果确证了所提方法的正确性.对一个高阻硅衬底上6nH电感,优化设计的渐变结构电感Q值在2.46GHz处可达到14.25,比版图面积相同、固定线宽及间距的传统电感高11.3%.因此,在无线通信系统的射频前端,采用这种电感与射频集成电路结合,能获得更好的射频电路性能.

射频集成化薄膜电感的设计和制备

介绍了一种新型的基于硅IC模拟电路工艺的射频集成薄膜电感。描述了集成薄膜电感的工作原理。采用一个紧凑集总电路模型来等效模拟集成化电感的电路效应。结合硅基模拟IC工艺技术,采用磁性材料薄膜层的设计,给出薄膜电感工艺流程,制备了薄膜电感样品。在1MHz^1GHz的频率范围内对薄膜电感样品进行了阻抗特性和Q值的测试。样品串联电感值为5.52nH,在600~800MHz时,获得最大为1.4的Q值。

自制射频(RF)电感器

无线电爱好者常常需要仿制一些新的电路。但这些电路中所带有的配套线圈和指定电感量的电感器却不容易买到。假如能够了解一些关于电感器的知识,就可以自行绕制各种类型的电感器,或将旧仪器中拆卸下的电感器加以改造和利用。其实自制电感器并不困难。本文将介绍有关自制电感器的一些简单方法,供读者参考。

用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文)

介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术。ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能。采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性。ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析。通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系。

电感式射频加热治癌16例

电感式射频能使机体态生大量涡漩电流而致内生热。肿瘤组织由于血灌注量低、散热差,因此温升高。治疗时,当观察到腋下温升在39.5～40℃时,肿瘤温升即达42℃以上。16例晚期肿瘤经治疗存活一年以上达56.2％。3例肺转移癌全无效;11例消化道癌,8例有效。这可能是高热使平滑肌松弛或痉挛缓解,饮食状况迅速改善,为患者坚持治疗树立了信心。

用于5～6GHz无线局域网的硅螺旋电感设计

提出一种设计和优化电感版图结构的方法，采用低电阻系数硅衬底和0.18μm Cu／SiO2互连工艺技术，设计出一组工作在5.7GHz的电感，同时优化了版图结构，例如内部磁芯大小、线圈宽度、线圈间距（0.2～11nH）等，与使用原有设计方法测出的电感的Q值相比，经过优化的5.7GHz电感的Q值可改进到5～8。

CMOS集成电感的建模与仿真

为了优化现有的射频CMOS电路中片上集成螺旋电感的模型,分析了利用MATLAB和ADS软件协同仿真建立集成电感模型的方法,以及利用VPCM来定制集成电感的优缺点;并针对传统FDK的局限性,提出一个交互式多样化的参数可变的电感模型。以电感2—π等效模型为基础,针对特定尺寸的电感调整建立了固定尺寸电感模型;并调整到与实测电感的L及Q值曲线相拟合,验证了模型的准确性。良好的参数提取精度证明了该建模方法的灵活性和有效性,方法可用于射频以及混合信号集成电路设计。

一种基于物理模型与遗传算法的平面螺旋电感的优化技术

针对 CMOS RF平面螺旋电感的物理模型 ,提出了一种使用遗传算法优化电感设计参数的优化技术 .应用这种技术 ,人们无需再通过等 Q值线来求取 Q值最佳的电感设计方案 ,因为等 Q值线的计算代价很高 ,而且一旦工艺条件改变 ,所有的等 Q值线都要重新计算 ,效率很低 .而这里提出的优化技术在计算时并没有将所有的电感版图设计方案都计算一遍 ,因而计算效率大大提高 .计算结果与相应设计方案的测量参数比较 ,只有约 5 %的计算误差 .计算结果与相同条件下的等 Q值线的最佳设计方案比较 ,这种优化技术总能得出与之基本一致的最佳方案 .事实上 ,由于这种优化技术的灵活性 ,“真正”的最佳设计方案只能由这种优化技术得出 ,而等 Q值线只能得出“相对”

一种硅片上的高性能射频线圈电感器

由于无线通讯设备的强烈需求，促进了无线电收发两用设备向着集成为一个整体的方向进行研究探索。在基本的电子元件中，与硅集成电路相容性最差的是电感器件，尽管在峰窝通讯设备中，多数电感器是被要求用来执行振荡器、滤波器和匹配网络功能的。采用金属喷涂工艺制造的螺旋线电感器已经被集成到硅基片集成电路上，但是，由于其被集成到硅基片会引起寄生电容和产生损耗，所以还不能完全地进行集成。我们制作一种在硅基片上集成的三维（3-D）线圈电感器，它们存在的耦合电容和损耗都较小，具有广泛的应用前景。这种电感器在1GHz时，用单匝元件测得的Q值为30，而2匝和4匝的元件的Q值〉16。多匝元件Q值的下降看起来好像与来自邻近线匝产生的磁场在本线圈外部线匝中形成的涡电流有关。Q值有效地高过30是我们在改善线圈电感器设计中所期望的。

ICP-CVD制备a-CHON及光学性能分析

采用外置电感耦合等离子体化学气相沉积法,以高纯CH4/N2/CO2/H2作为反应气体,制备出非晶的a-CHON薄膜。研究了放电功率对薄膜沉积速率、表面形貌及光学性能的影响。结果表明沉积速率随着放电功率的增加而增加,而非线性增加;原子力显微镜分析结果表明放电功率对薄膜粗糙度有较大的影响;红外光谱分析表明了薄膜内部存在C-O,C=O,C≡N以及C-H键;紫外-可见-近红外光分析表明,薄膜的光学带隙随放电功率的增加而减小;薄膜折射率在可见光区的色散图表明,折射率随入射光频率的增加而减小,出现反常色散关系;而在同一波长下薄膜的折射率先随放电功率的增加而减小,而后又有所增加。