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Fe掺杂对Ba_0.5Sr_0.5TiO_3薄膜微观结构与电学性质的影响研究
1
作者
娄本浊
《陶瓷》
CAS
2012年第15期23-25,共3页
笔者利用射频磁控溅镀法在Pt/SiO2/Si(100)基板上制备出Fe掺杂量分别为0、0.5%、1.0%、2.0%、3.0%及5.0%的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,并讨论了Fe掺杂含量对其微观结构结与电学性质的影响。由XRD分析可知,Fe掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的晶体结...
笔者利用射频磁控溅镀法在Pt/SiO2/Si(100)基板上制备出Fe掺杂量分别为0、0.5%、1.0%、2.0%、3.0%及5.0%的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,并讨论了Fe掺杂含量对其微观结构结与电学性质的影响。由XRD分析可知,Fe掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的晶体结构并无较大的影响;从SEM结果则可得出,微量Fe掺杂时薄膜较为致密,且晶粒大小较一致。电性结果表明,掺Fe薄膜的相对介电常数和电容均呈现下降趋势,且Fe掺杂含量分别为0.5%、1.0%及2.0%时薄膜具有较小的漏电流密度。
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关键词
Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜
Fe掺杂效应
射频磁控溅镀法
微观结构
电学性质
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职称材料
题名
Fe掺杂对Ba_0.5Sr_0.5TiO_3薄膜微观结构与电学性质的影响研究
1
作者
娄本浊
机构
陕西理工学院物理与电信工程学院
出处
《陶瓷》
CAS
2012年第15期23-25,共3页
文摘
笔者利用射频磁控溅镀法在Pt/SiO2/Si(100)基板上制备出Fe掺杂量分别为0、0.5%、1.0%、2.0%、3.0%及5.0%的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,并讨论了Fe掺杂含量对其微观结构结与电学性质的影响。由XRD分析可知,Fe掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的晶体结构并无较大的影响;从SEM结果则可得出,微量Fe掺杂时薄膜较为致密,且晶粒大小较一致。电性结果表明,掺Fe薄膜的相对介电常数和电容均呈现下降趋势,且Fe掺杂含量分别为0.5%、1.0%及2.0%时薄膜具有较小的漏电流密度。
关键词
Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜
Fe掺杂效应
射频磁控溅镀法
微观结构
电学性质
Keywords
Ba0.5Sr0.5TiO3 film
Fe doping effect
RF magnetron sputter method
Microstructure
Electric property
分类号
TQ174.1 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
Fe掺杂对Ba_0.5Sr_0.5TiO_3薄膜微观结构与电学性质的影响研究
娄本浊
《陶瓷》
CAS
2012
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