射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用

研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱。用非接触式测量方法———光谱法测定了等离子体特性。讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系 。

高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.

别每天都在一条路上走

他的名字，我们一般人可能都不太熟悉，但是我们日常生活中各种大大小小的“享受”和“方便”，却都与他的发明成果相连．小如手机里微波电子零件如射频开关、前端放大器、功率放大器、cD音响唱碟、DVD放映机、个人电脑中读二元数据的半导体镭射激光器，大如电子通讯的发电站等微波高速电子器件和光电子器件。凭借这些研究成果，他不仅获得了代表美国科学界最高荣誉的国家科学奖章与国家技术奖章，这在美国科技界是少之又少的，而且在2009年5月2日入选美国“国家发明奖名人堂”，成为继“计算机大王”王安之后第二位入选此名人堂的华裔。他就是现年72岁的美籍华裔科学家、被誉为“分子束外延技术之父”的美国贝尔实验室半导体研究所所长、教授——卓以和．

蓝宝石(0001)衬底上Ga浸润层对ZnO外延薄膜质量的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属Ga薄层的方法生长出了高质量的ZnO单晶薄膜. 这个Ga薄层的引入完全抑制了导致ZnO薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成. 反射式高能电子衍射(RHEED)原位观察以及高分辨X射线衍射(HRXRD)、透射式电子显微(TEM)和会聚束电子衍射(CBED)测试表明, 该薄膜具有很高的晶体质量和单一Zn极性. 详细讨论了Ga浸润层在ZnO的极性选择以及缺陷密度的减少等方面所起的作用, 并通过一个双层Ga原子模型分析了单一极性生长的机理.