射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法制备类金刚石碳膜工艺与性能表征

使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(C4H10、C2H2)制备的DLC薄膜微观组成和透光率进行了检测和对比。结果表明:DLC薄膜的表面光滑、平整,表面粗糙度随沉积时间的增加单调递增;耐磨性及附着性优良;与C4H10相比使用C2H2作为碳源气体可以得到较高sp3含量和较低sp1含量的DLC膜;C2H2制备DLC薄膜的透光率低于C4H10;同一种碳源气体,反应流量比例越小,则DLC薄膜的透光性越好。

采用End-Hall源沉积类金刚石膜

介绍了两种普遍采用的类金刚石(DLC)膜沉积方法。在此基础上叙述了采用End-H all源沉积DLC膜的方法,在简单说明其工作原理的同时给出了实验的各项技术参数;通过对实验结果和DLC膜样品的分析,可看出用End-H all源沉积方式能够消除RFCVD沉积方式所带来的边缘效应。

End—Hall源沉积类金刚石膜的实验

介绍了采用 End-Hall 源沉积 DLC 膜的方法,在简单说明其工作原理的同时给出了实验的各项技术参数;通过对实验结果和 DLC 膜样品的分析,可看出用 End-Hall 源沉积方式能够消除 RFCVD 沉积方式所带来的边缘效应.

RF-PCVD低温沉积无色透明类金刚石保护膜的工艺研究

采用磁约束增强射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法（RF—PCVD）低温沉积出无色透明的类金刚石保护膜（DLC），主要研究了炉压P0、射频功率Pf、自生负偏压U2、磁感应强度B、电极间距d、反应气体、镀膜时间t等工艺参数对成膜的影响．试验结果表明，外加磁场B制约了带电粒子逃逸出电极空间，提高了反应气体的离化率及等离子体浓度和活性，并使非独立变量Pf和Uz成为独立变量，有利于工艺调节．当极间距大时，需适当提高Pf，Uz和C-H流量才可得到无色、较硬的DLC膜．在比功率密度大于0．009W·cm^-2·Pa^-1、C-H浓度即体积分数0．9％～1．4％及膜厚小于90nm的条件下，可沉积出无色透明、硬度较高的DLC膜．

用SiCl_4-H_2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .