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用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文)
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作者 杨利 周毅 +4 位作者 张国艳 廖怀林 黄如 张兴 王阳元 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期966-969,共4页
介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术。ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能。采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于... 介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术。ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能。采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性。ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析。通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系。 展开更多
关键词 多孔硅 射频集成电感 电化学腐蚀 后处理工艺
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一种基于物理模型与遗传算法的平面螺旋电感的优化技术 被引量:10
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作者 林敏 李永明 陈弘毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期897-903,共7页
针对 CMOS RF平面螺旋电感的物理模型 ,提出了一种使用遗传算法优化电感设计参数的优化技术 .应用这种技术 ,人们无需再通过等 Q值线来求取 Q值最佳的电感设计方案 ,因为等 Q值线的计算代价很高 ,而且一旦工艺条件改变 ,所有的等 Q值线... 针对 CMOS RF平面螺旋电感的物理模型 ,提出了一种使用遗传算法优化电感设计参数的优化技术 .应用这种技术 ,人们无需再通过等 Q值线来求取 Q值最佳的电感设计方案 ,因为等 Q值线的计算代价很高 ,而且一旦工艺条件改变 ,所有的等 Q值线都要重新计算 ,效率很低 .而这里提出的优化技术在计算时并没有将所有的电感版图设计方案都计算一遍 ,因而计算效率大大提高 .计算结果与相应设计方案的测量参数比较 ,只有约 5 %的计算误差 .计算结果与相同条件下的等 Q值线的最佳设计方案比较 ,这种优化技术总能得出与之基本一致的最佳方案 .事实上 ,由于这种优化技术的灵活性 ,“真正”的最佳设计方案只能由这种优化技术得出 ,而等 Q值线只能得出“相对” 展开更多
关键词 平面螺旋电感 射频集成电感 微波无源电感 物理模型 CMOS 遗传算法
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A 4.8GHz CMOS Fully Integrated LC Balanced Oscillator with Symmetrical Noise Filter Technique and Large Tuning Range
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作者 杨丰林 张钊锋 +1 位作者 李宝骐 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期448-454,共7页
This paper presents a fully integrated 4 8GHz VCO with an invention——symmetrical noise filter technique.This VCO,with relatively low phase noise and large tuning range of 716MHz,is fabricated with the 0 25μm SMIC... This paper presents a fully integrated 4 8GHz VCO with an invention——symmetrical noise filter technique.This VCO,with relatively low phase noise and large tuning range of 716MHz,is fabricated with the 0 25μm SMIC CMOS process.The oscillator consumes 6mA from 2 5V supply.Another conventional VCO is also designed and simulated without symmetrical noise filter on the same process,which also consumes 6mA current and is with the same tuning.Simulation result describes that the first VCO’ phase noise is 6dBc/Hz better than the latter’s at the same offset frequency from 4 8GHz.Measured phase noise at 1MHz away from the carrier in this 4 8GHz VCO with symmetrical noise filter is -123 66dBc/Hz.This design is suitable for the usage in a phase locked loop and other consumer electronics.It is amenable for future technologies and allows easy porting to different CMOS manufacturing process. 展开更多
关键词 VCO symmetrical noise filter radio frequency INDUCTOR switch capacitor
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