低功耗高增益CMOS LNA的设计

设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18μm,当中心频率f0为2.4GHz、电源电压VDD为1.8V时其功率增益S21为16.5dB,但功耗Pd只有2.9mW,噪声系数NF为2.4dB,反向隔离度S12为-58dB。由此验证了所设计的CMOSRF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100nm级的研发方向发展。