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浓缩铀镀层的准确定量
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作者
林菊芳
王玫
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温中伟
王大伦
刘荣
蒋励
鹿心鑫
朱通华
励义俊
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期817-820,共4页
针对实验研究中所用的转换靶(浓缩铀镀片),采用了背对背电离室、小立体角定量装置及大面积金硅面垒半导体探测器三种方式来准确定量其镀层质量厚度,并对结果进行了不确定度分析。
关键词
铀镀层
背对背电离室
小立体角定量装置
半导体探测器
质量厚度
下载PDF
职称材料
题名
浓缩铀镀层的准确定量
被引量:
2
1
作者
林菊芳
王玫
温中伟
王大伦
刘荣
蒋励
鹿心鑫
朱通华
励义俊
机构
四川绵阳
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期817-820,共4页
文摘
针对实验研究中所用的转换靶(浓缩铀镀片),采用了背对背电离室、小立体角定量装置及大面积金硅面垒半导体探测器三种方式来准确定量其镀层质量厚度,并对结果进行了不确定度分析。
关键词
铀镀层
背对背电离室
小立体角定量装置
半导体探测器
质量厚度
Keywords
Uranium-electric plating
Back to Back Ionization Chamber
Small solid angle device
Semiconductor
plate-thickness
分类号
TL811.1 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
浓缩铀镀层的准确定量
林菊芳
王玫
温中伟
王大伦
刘荣
蒋励
鹿心鑫
朱通华
励义俊
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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