N层单电子垂直耦合量子点的基态跃迁

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中的N层单电子垂直耦合量子点系统,计算了基态跃迁随外磁场的变化关系.结果表明量子点与量子点之间的距离和电子与电子之间的相互作用对耦合量子点的低激发态有比较大的影响,在强耦合情况下基态会随着外磁场的增大出现不连续跃迁,而在弱耦合情况下就不会产生基态跃迁,角动量为零的态始终为基态.

磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响

采用少体物理方法,研究了磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响。以GaAs半导体量子点为例,对体系基态能级E0、第一激发态自旋单态能级E1(A)和自旋三重态能级E1(S)随量子点有效半径l0和磁场B的变化进行了数值计算。结果表明,E0随B的增加而增大,随l0的增加而减小;在磁场中第一激发态自旋单态能级E1(A)分裂为E1+1(A)、E1-1(A)两条,第一激发态自旋三重态能级E1(S)分裂为EMS1+1(S)、EMS1-1(S)(MS=1,0,-1)两组,每组中有三条"精细结构";各能级(组)均随l0的增加而减小,而它们随B的变化情况差异较大,能级E1+1(A)和EMS1+1(S)随B的增加而显著增大,而能级E1-1(A)和EMS1-1(S)随B的变化相对缓慢;各能级(组)的分裂度均与磁场B的一次方成正比。

对称性对原子团簇Ar_3低激发能谱的影响

采用少体物理方法，计算了惰性元素三原子团簇Ａｒ３的低激发能谱，分析了量子力学对称性对Ａｒ３的几何结构和内部运动的影响，给出了Ａｒ３低激发能谱的几条转动带。

四层单电子垂直耦合量子点的基态跃迁

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中四层单电子垂直耦合量子点系统.我们以总自旋S=0为例计算了基态跃迁随外磁场的变化关系.我们发现在强耦合情况下基态会随着外磁场的增大出现不连续跃迁,而在弱耦合情况下就不会产生基态跃迁.

双层垂直耦合量子点研究

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中两层单电子垂直耦合量子点系统.发现在强耦合情况下,随着外磁场的增加,系统基态的角动量会发生跃迁;而在弱耦合的情况下,基态角动量L和自旋都不会随着外磁场的变化而改变,L=0的自旋单态始终为基态.

多层单电子量子点的低激发态能谱研究

用少体物理的方法研究处于外磁场中四层单电子垂直耦合量子点系统低激发态能谱随外磁场的变化关系。研究结果表明磁场的存在会导致基态出现不连续跃迁。量子点的耦合强度和电子之间的库仑相互作用对耦合量子点的基态跃迁有比较大的影响。

核少体问题研究进展简况

本文概要介绍了近几年来国防上关于核少体问题研究方面的进展状况及新动向．