PIN型快速恢复二极管的研究与应用

剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术。比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用。

RC-GCT中集成二极管特性的设计与优化

首先简要地分析了各种少子寿命控制技术的特点,指出了逆导型门极换流晶闸管(RC-GCT)中集成二极管的设计要求和考虑。在此基础上,采用结构参数优化和少子寿命控制相结合的方法,利用MEDICI软件对集成二极管的各项特性进行了模拟。最后,通过模拟结果分析,确定了RC-GCT中集成二极管的特性设计参数和工艺实现方法。