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测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法 被引量：1
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作者 李言谨 方家熊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1129-1131,共3页
根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法．实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度．
关键词 半导体 少子漂移迁移率 扩散长度 测量
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