超薄叠层芯片尺寸封装(UT-SCSP)

本文介绍了最新的超薄叠层芯片尺寸封装(UT-SCSP),它是CSP封装与叠层封装相结合的产物。 它特别适用于高密度内存产品。

晶圆级芯片尺寸封装技术

尺寸缩减几乎是电子封装技术应用的主要驱动力之一。高功能性和高可靠性与尺寸缩减的相互作用,也是所有微电子系统的决定因素。因此,最佳产品设计、最小单芯片封装和板技术的最佳结合,将提供最佳解决方案。晶圆级CSP将是匹配所有电子系统要求、降低总成本的单芯片封装技术的最佳方案。

先进的芯片尺寸封装(CSP)技术及其发展前景

概述了芯片尺寸封装(CSP)的基本结构和分类,通过与传统封装形式进行对比,指出了CSP技术具有的突出优点,最后举例说明了它的最新应用,并展望了其发展前景。

圆片级芯片尺寸封装技术及其应用综述

综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等。并对比研究了几种圆片级再分布芯片尺寸封装方式的工艺特征和技术要点,从而说明了WL-CSP的技术优势及其应用前景。

芯片叠层球栅阵列尺寸封装的焊球疲劳寿命预测

应用弹粘塑性有限元法对芯片叠层球栅阵列尺寸封装的焊球,在热循环条件下(-40～125℃)进行了数值模拟,并在此基础上进行了可靠性分析。由于封装体内不同材料间热膨胀的不匹配会在焊球连接上产生很大的塑性形变。在热循环加载条件下,最终会萌生裂纹,致使整个芯片失效。本文基于ANSYS有限元分析软件,以塑性应变能作为研究对象,讨论了焊球的可靠性分析方法,最后利用子模型法探讨了网格的疏密对焊球寿命的影响。

晶圆级芯片尺寸封装Sn-3.0Ag-0.5Cu焊点跌落失效模式（英文）

依据JEDEC标准采用板级跌落实验研究晶圆级芯片尺寸封装Sn-3.0Ag-0.5Cu焊点的跌落失效模式。发现存在六种失效模式,即发生在印刷电路板(PCB)侧的短FR-4裂纹和完全FR-4裂纹,以及发生在芯片侧的再布线层(RDL)与Cu凸点化层开裂、RDL断裂、体钎料裂纹及体钎料与界面金属间化合物(IMC)混合裂纹。对于最外侧的焊点,由于PCB变形量较大且FR-4介质层强度较低,易于形成完全FR-4裂纹,其可吸收较大的跌落冲击能量,从而避免了其它失效模式的发生。对于内侧的焊点,先形成的短FR-4裂纹对跌落冲击能量的吸收有限,导致在芯片侧发生失效。

芯片尺寸封装技术

芯片尺寸封装 (CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术。文中介绍了该技术的基本概念、特点、主要类型及其应用现状和展望。

芯片尺寸封装焊点的可靠性分析与测试

利用ANSYS有限元分析软件,将芯片尺寸封装(CSP)组件简化为了二维模型,并模拟了CSP组件在热循环加载条件下的应力应变分布;通过模拟发现了组件的结构失效危险点,然后对危险点处的焊点热疲劳寿命进行了预测;最后进行了CSP焊点可靠性测试。结果表明,用薄芯片可提高焊点可靠性。当芯片厚度从0.625 mm减小到0.500 mm和0.350 mm时,焊点的可靠性分别提高了约0.75和1.5倍。

基于芯片尺寸封装功率器件的集成电力电子模块(英文)

采用三维封装结构取代传统的平面封装结构可获得高性能集成电力电子模块.在实验室完成由2只芯片尺寸封装MOSFET和驱动、保护等电路构成的三维封装半桥IPEM.从互连焊点形状的优化和封装工艺过程参数的控制出发,进行IPEM的可靠性控制.采用阻抗分析仪Agilent 4395A测量IPEM的寄生参数,建立了半桥IPEM的寄生参数模型;采用半桥IPEM构成12V/3A输出的同步整流Buck变换器,2只MOSFET的漏源极尖峰电压小,说明HB-IPEM的三维封装结构有效减小了寄生电感.运用Flotherm软件对半桥IPEM进行了热分析,给出了温度分布仿真结果.焊料凸点传热使芯片的最高结温明显降低,三维封装结构实现了良好的热设计.

集成电路芯片尺寸封装技术

芯片尺寸封装技术是９０年代初出现的一种新型封装技术，是封装领域的重要发展方向。

芯片尺寸封装(CSP)技术

芯片尺寸封装（ＣＳＰ）技术是一种新兴的芯片封装技术，日本等国对该技术的研究相当重视，发展速度很快。

芯片尺寸封装(CSP)技术的发展动态

芯片尺寸封装（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ简称ＣＳＰ）技术是一项焊接区面积等于或略大于裸芯片面积的单芯片封装技术，由于采用该项技术能解决芯片和封装之间芯片小封装尺寸大的内在矛盾、ＩＣ（集成电路）引脚不断增长、多芯片组件（ＭｕｌｔｉｃｈｉｐＭｏｄｕｌ...

芯片尺寸封装工艺技术

芯片尺寸封装 (CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装技术之一。文章介绍了目前出现的四类 CSP结构形式 。

一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装

采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5 ns,开关时间为10.6 ns。将WLCSP的驱动器安装至厚度为1 mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕。无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N。

先进的芯片尺寸封装(CSP)技术

随着手机、掌上电脑、薄形笔记本等消费类电子产品的迅速发展,芯片尺寸封装技术(CSP)在我国从无到有,并在短短几年时间内取得了突飞猛进的发展。论述了芯片尺寸封装(CSP)的7大特点,总结了6大类别,归纳了主要生产制作工艺,并对我国芯片尺寸封装技术(CSP)的发展提出了几点建议。

芯片尺寸封装之高压蒸煮可靠度实验破坏机构分析

主要是研究湿气敏感可靠度的破坏机制。在高压蒸煮(PCT)条件(121oC,2atm,100RH%,and168hrs)下的测试。相关材料如封装树酯吸湿及芯片背面特性的影响。

芯片尺寸封装(CSP)简介

芯片尺寸封装（CSP）和BGA是同一时代的产物,是整机小型化、便携化的结果。美国JEDEC给CSP的定义是：LSI芯片封装面积小于或等于LSI芯片面积120%的封装称为CSP。由于许多CSP采用BGA的形式,所以最近两年封装界权威人士认为，焊球节距大于等于1mm的为BGA，小于1mm的为CSP。

Vishay发布三款采用小尺寸封装的高性能单通道和双通道负载开关

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出三款新的可在1．1V-5．5V电压下工作的单通道和双通道2A负载开关——SIP32411、SIP32413和SIP32414，器件在1-2V下的低开关导通电阻能够提高效率，150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流，使受控的启动过程更加平滑，从而将开关噪声降至最小。

Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基（Schottky）二极管,为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积,实现双倍功率密度。全新30 V及0.2A SDM0230CSP肖特基二极管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盘封装,热阻仅为261oC/W,比DFN0603封装低约一半,有效把开关、反向阻断和整流电路的功耗减半。