局域势调控下石墨烯/h-BN异质结的能带结构和量子相变

采用紧束缚方法研究了局域势调控下石墨烯/六方氮化硼异质结的能带结构及量子相变。结果表明,在给定石墨烯层内禀自旋轨道耦合强度时,石墨烯层处于量子自旋霍尔态而六方氮化硼层处于绝缘态,增大石墨烯层局域势,系统会从量子自旋霍尔态变到半导体态。调节六方氮化硼层局域势可以使异质结产生新的无间隙边缘态,从而使系统中石墨烯层的量子自旋霍尔态变成由层内和层间的边缘态共同构成的量子自旋霍尔态。

中能重离子碰撞中局域势的有限程效应

在同位旋相关的量子分子动力学模型中，将零程的Ｓｋｙｒｍｅ型两体相互作用改为有限程的Ｇａｕｓｓｉａｎ型两体相互作用，对反应系统９３Ｎｂ（Ｅ＝４００ＭｅＶ／ｕ，ｂ＝３ｆｍ）＋９３Ｎｂ中横动量进行了计算和分析，观察到引入有限程的核力会使反应系统的横动量增强，可以部分地代替核子－核子相互作用中的动量相关．

具有非局域势的量子力学模型

利用超对称性 (SUSY)量子力学讨论能够精确求解的具有非局域势的量子力学模型 .并表示出能够精确求解的局域势模型的一个简单非局域的表示形式 。

一维点阵局域势中玻色系统的相图

利用高斯波泛函方法，研究了处于一维点阵局域势ｃｏｓ［β（ｎＲ）］中的玻色系统基态的相变行为．研究结果表明，一维点阵局域势系统的稳定性取决于参量γ＝β２／４π和重整化质量μ．在不同的参量区域，μ有不同的多值性，从而在参量空间中划出相区．γ＝γ１时，相界随杂质浓度ｃ而定，ｃ趋于零时，与单杂质模型的结论相符，γ２相界与连续模型的结论相符．

双原子分子激发态势能的自旋相关局域Hartree-Fock密度泛函理论方法

基于自旋相关局域Hartree-Fock(SLHF)势函数,本文提出了一种计算双原子分子激发态势能的密度泛函理论(DFT)方法,并将该方法应用于H+2和H2的激发态势能曲线的计算.在只考虑交换能的情况下,本文的DFT计算结果与文献中精确方法和Hartree-Fock(HF)方法的结果符合的非常好,说明采用SLHF势函数作为交换势的DFT方法是一个很好的计算激发态势能的方法.本文还计算和探讨了电子的关联势函数和关联能,发现传统的近似方法在较大核间距的情况下大大低估了电子的关联能.

势场调控下石墨烯/六方氮化硼范德瓦尔斯异质结的能带结构

石墨烯和六方氮化硼堆叠在一起时可以通过范德瓦尔斯力形成层状异质结,称为范德瓦尔斯异质结。我们利用紧束缚模型研究了AA堆叠和AB堆叠结构下石墨烯/六方氮化硼范德瓦尔斯异质结体系的能带结构。提出了利用局域势和层间势调控能带的有效方法。结果表明,势场可以改变范德瓦尔斯材料的能带结构,使体系从绝缘相向金属相转变。

半导体Ge的能带计算

用紧束缚方法计算了Ge晶体能带Ge的点能量.计算结果与Chadi的实验值及吻合较好,与K.C Pondoy的计算值比较接近,比Cohen and TR.Bergstresser的计算值精确.

基于能带结构的布里渊区非均匀四面体网格生成技术

基于非局域赝势能带计算及四面体网格单元中能量满足线性关系,提出一种布里渊区非均匀四面体网格产生方法,在满足精度条件下能自动得出数目最少的四面体网格,使布里渊区积分计算的精度和效率大为提高.通过对硅、锗两种金刚石结构半导体简约布里渊区所产生网格的比较,表明该方法可以根据能带结构的特点自动生成优化的非均匀网格.对现有的态密度四面体计算公式进行了补充完善,并根据生成的网格和完善后的公式计算了硅和锗导带第一、二能带的态密度.

原子力显微镜中化学成键对力的贡献(英文)

迄今非接触原子力显微镜已经成为一个非常强大的工具.它不仅能够得到表面的原子周期结构,还能给出分子内部的化学键信息.针尖和样品之间的相互作用是原子力显微镜的有效信号,主要包括三种,即范德瓦尔斯相互作用、静电相互作用和化学键相互作用.本文在生长于Si(111)-7×7的铅薄膜上测量了针尖和样品之间的化学键相互作用.通过获取该相互作用随偏压的变化,并且利用抛物线拟合有效局域接触势的位置,我们发现它是随着针尖和样品之间距离的增大而减小的.这种趋势来自于针尖和样品之间波函数的交叠.从而可以得到电子的衰减长度.我们还测量到了该衰减长度随着铅薄膜厚度的变化会发生振荡,这种振荡归因于平顶楔形铅岛内电子的量子尺寸效应.

α-Al_2O_3基片(0001)表面及其对ZnO吸附位置研究

建立了一种 2× 2α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面吸附ZnO模型 ,在周期边界条件下的k空间中 ,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法 ,对α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算研究。由于较大的表面弛豫 ,使得氧原子全部暴露于基片最外表面 ,明显地表现出O原子电子表面态 ;驰豫后的表面能对ZnO分子产生较强的化学吸附 ,表面电子结构将发生明显的变化 ,其表面最优吸附生长点的方位正好偏离α Al2 O3 (0 0 0 1)表面氧六角对称 30° ;并计算了这些吸附生长点处Zn与表面O的结合能。

Localized States of an Excess Electron in an Ionic Cluster

A theory of an electron affinity for an ionic cluster is proposed both in a quasiclassical approach and with quantization of a polarization electric field in a nanopartiele. A critical size of the cluster regarding in formation of an electron＇s autolocalized state, dependencies of energy and radius of a polaron on a cluster＇s size are obtained by a variational method. It has been found that binding energy of the electron in the cluster depends on a eluster＇s radius but a radius of electron＇s auto-localization does not depend on the cluster＇s radius and it equals to the polaron radius in a corresponding infinity crystal. A bound state of the electron in a cluster is possible only if the duster＇s radius is more than the polaron radius.