EAST托卡马克早期H模实验边界局域模特征的统计分析

为分析EAST托卡马克早期(2010—2014年)高约束运行模式(H模)中边界局域模(ELM)与哪些参数具有强相关性,在验证有效性的基础上,采用主打击点处Dα辐射的相对涨落来定量表征边界局域模幅度,建立EAST托卡马克早期H模下ELM特征数据库。统计分析表明,ELM频率随边界安全因子的增大而减小,2010年type-ⅢELM的频率随总加热功率的增大而增大。这与其他装置或2015年以后EAST装置上得到的结果不一致,部分原因是碳杂质水平的变化。碳杂质水平是影响EAST托卡马克早期H模实验中ELM行为的重要因素之一。

ITER第一类边界局域模对排布位错偏滤器靶板钨/铜瓦片腐蚀程度的数值模拟

偏滤器靶板钨/铜瓦片在高热流作用下的热表现是未来托卡马克ITER最受关注的问题之一.由于安装精度等因素,钨/铜瓦片会出现排布位错从而产生凸出棱边,凸出棱边处能流密度极大,严重侵蚀靶板.建立了二维对流传热的自洽模型,包括热辐射、汽化和熔化效应,同时,耦合冷却水状态变化,研究类ITER第一类边界局域模热流对出现排布位错的偏滤器靶板钨/铜瓦片的腐蚀程度,比较直角、斜边瓦片的热性能.为了研究瓦片缝隙、排布误差对等离子体行为和能流密度分布的影响,利用二维边缘等离子体动理学程序计算不同排布误差下两种形状瓦片表面的能流密度分布,并作为热传导模型的输入参数.研究结果表明:瓦片缝隙附近等离子体行为会受排布误差影响,不同排布误差下的直角、斜边瓦片边缘处能流密度分布不同,对两种形状瓦片的热表现影响极大,排布误差越大,两种形状瓦片的热腐蚀程度越大;相对于直角瓦片,斜边瓦片在边界局域模热流作用下的热腐蚀程度较小,且有较好的对抗排布位错的能力.

水分子振动态的局域模效应

本文利用水分子的势能面精确研究了Ｈ２０分子振动局域模态能级·这些势能面较好地解释了Ｈ２０分子振动态的局域模效应，当伸缩量子数ｎ超过４时，单键伸缩振动态处于局域模振动态，这些局域模态与非局域模态的振转耦合趋近于零，这与实验观测结果一致。

HL-2A装置超声分子束注入缓解偏滤器靶板上边缘局域模热通量研究

在HL-2A装置上优化和发展了偏滤器靶板上的红外测温系统,并利用该系统分析了高约束模放电期间边缘局域模的热沉积分布特性。在高约束模式放电期间,超声分子束注入使边缘局域模所引起的偏滤器靶板上瞬间热通量峰值下降了~60%,并伴随着边缘局域模爆发频率增加了2~3倍,而等离子体储能仅下降了~8%。分析结果表明,大幅度的丝状结构在超声分子束注入之后得到了有效抑制,沉积到偏滤器靶板上的瞬间热通量峰值也随之下降。此外,在超声分子束注入之后偏滤器室内的热辐射损失大幅度增加,从而耗散了热输运所携带的部分能量,进一步分散了沉积到偏滤器靶板上的能量,有效地保护了偏滤器靶板。

在一维均匀铁磁链中磁振动的内禀局域模(英文)

利用多标度方法和准离散近似,我们考察了在一维均匀铁磁链中磁振动的内禀局域模;结果表明磁振动的内禀局域模在许多方面都与晶格振动的内禀局域模相类似;它们是近邻自旋之间非线性相互作用的结果。这种内禀局域模的存在并没有破坏系统的平移对称性,它们能在任何晶格位被激发。它们的量子本征频率在简谐磁振动频带的上方。

二维声子晶体多点缺陷局域模的分离特性

以二维铝圆柱/空气正方格子声子晶体为研究对象,利用平面波展开法结合超原胞的方法研究了点缺陷局域模的分离特性及模场分布特性。结果表明,多点缺陷引入将使局域声子因散射波之间的干涉而产生局域模的分离,且分离程度与多点缺陷所形成腔的几何形状、封闭程度以及边缘的构造有关;带隙中局域模的模场分布与它在带隙中的位置有关。点缺陷局域模的分离特性在声方向滤波器、窄带声波导方面将有很大的应用价值。

一维高分子链中点缺陷引起的局域模

将聚苯胺等一类聚合物简化成一维复式线性链 ,讨论了这一类聚合物仅含一个点缺陷时的振动模。考虑到点缺陷附近弹性恢复力常数的变化 ,预期了局域模的出现 ,说明了模的局域化程度 ,包括模的频移及振动本征矢的分布情况与质量缺陷程度、力常数改变程度的关系。

具有格点各向异性的一维铁磁链中的量子孤子和内禀局域模(英文)

基于Hartree-Fock方法和多标度方法,我们考察了具有格点各向异性的一维铁磁链中的量子孤子和内禀局域模,量子磁振子的波函数由量子包络孤子来描述.在布里渊区边界,量子包络孤子变成了量子内禀局域模,它的量子本征频率在简谐波带的顶部上方,量子磁振子主要集中在中心位置j=j0的附近.

A－B结构铁磁性超晶格中自旋波局域模与界面模

本文研究了Ａ－Ｂ结构的一维铁磁性超晶格自旋链，利用界面重标度方法，给出了自旋波低能量子严格解．结果表明，超晶格自旋波的本征波函数分为三种类型，其一为非局域模，这种模在Ａ、Ｂ链中的分布几率都较大；其二为局域模，这种模主要分布在Ａ（或Ｂ）链中，而Ｂ（或Ａ）链中的分布几率很小；其三为界面模，这种模在超品格界面处的分布几率报大，离开界面按指数迅速衰减．另外，这三种模具有不同的能量范围．

由光子晶体局域模对称关系分析其简并性

使用平面波展开法计算了二维正方格子介质柱光子晶体在改变中央介质柱半径的情况下谐振腔的模式,根据所计算的局域模式场分布的对称关系,研究了二维光子晶体谐振腔模式的简并性结果表明具有C4v对称群光子晶体谐振腔,存在着二重简并偶极模和二重简并六极模,同时也存在非简并单极模和四极模。

分子在高振动态上的局域模振动

本文讨论多原子分子出现局城模(local mode)振动的条件并说明局域模振动是分子伸缩振动在高振动能区中的普遍趋势。

活性无序介质中泵浦功率对局域模发射的影响(英文)

基于具有局域-非周期-类结构的活性无序介质中的复杂局域模与合适泵浦光的相互作用模型,研究活性无序介质中泵浦功率对局域模发射的影响,定性解释了泵浦功率对局域模发射的影响.结果表明,局域-非周期-类结构的无序介质的透射谱只与介质的结构有关,而与介质的损耗和增益无关,不同的激发模具有不同的泵浦功率阈值.

液晶染料填充一维光子晶体局域模的电场调控及其光激发特性研究

基于液晶的电场调控特性及激光染料作为增益介质的增益模型,通过传输矩阵法理论研究了液晶染料填充一维光子晶体局域模的电场调控及其光激发特性。数值结果表明:随着垂直入射光和电场方向的夹角θ的增大,局域模波长向短波方向移动;当角度θ在(0°,90°)范围内变化时,局域模波长最大调控量达56.7nm;激光染料泵浦后不改变局域模的位置,但局域模的透射率变大了;随着增益系数的增大,局域模透射率先增大后减小,不同局域模对应不同的泵浦阈值,并且随着夹角θ的增大局域模对应的泵浦阈值将减小。

单负材料一维光子晶体的带隙和局域模特性

利用传输矩阵法研究了由两种单负材料构成的一维周期性结构的透射谱。研究发现,单负材料光子晶体中存在着一个特殊的禁带,禁带宽度取决于两种单负材料的厚度比,而与晶格常数、入射角无关。在光子晶体中引入缺陷,可以在禁带中出现局域模。随着缺陷层厚度的增加,局域模向低频方向移动。随着入射角的增大,局域模会发生改变。在一定条件下,可以实现TE或TM局域模的全向透射。

一维Klein-Gordon晶格中非线性局域模稳定性研究

为了直观、有效地研究一维晶格中非线性局域模的结构稳定性,利用四阶龙格库塔方法数值模拟一维Klein-Gordon晶格中非线性局域模的传播和碰撞.模拟计算结果表明了非线性局域模在一维Klein-Gordon晶格中传播过程的稳定性和碰撞时的粒子性.

选键化学的新希望:硅烷高泛频局域模振动带的高分辨光谱研究

有选择性地破坏分子的某个键,以便用最少的能量诱发化学反应或离解分子是化学家们长期的愿望。然而由于分子中的所有键彼此耦合,能量转移十分迅速,做到这点极其困难。近期的理论预言[1]在某些分子的高泛频带上可以出现局域模振动—振动能量绝大部分集中在一个键上。

分子局域模振动的光谱学和动力学研究

高激发态是分子通向离解和许多化学反应的必由之路。分子的激发态具有许多与基态不同的新性质,研究它们对于原子和分子物理的发展有着极其重要意义。然而,迄今人们对它们仍然知之甚少。传统的光谱理论是以一系列近似方法(绝热近似、振—转近似等)为基础的。它们在研究分子的低能态时取得了成功,但是不适用于分子的高激发态。长期以来缺乏实验数据的困难一直阻碍着理论的进展。本课题研究这个领域中的一个重要问题:多原子分子高振动能区中的局域模振动。

无缺陷准晶光子晶体的局域模

准晶光子晶体是最近几年光子晶体领域中比较重要的研究方向之一。准晶光子晶体和周期晶格光子晶体相比，有其自己显著的优点。它具有旋转对称性，因而它的能带结构和光的入射方向无关。由于不具备平移对称性，准晶光子晶体实质上是一种无序结构。根据Anderson的理论，无序系统中一定会存在局域模．

闪锌矿结构链中的非线性局域模(英文)

利用数值计算研究近邻原子质量和作用力常数均不同的一维链中的非线性局域模，该模型模拟闪锌矿结构晶体中〈１１１〉方向一列原子的非线性振动。在考虑近邻原子间相互作用势函数中的四次方非线性项时，在相应线性系统频带的光学支上面和禁带中发现了非对称分布准奇偶宇的局域模。在自由边界条件下，表面模也存在。本文所得结果与前人对金刚石结构晶体模型的结果有所不同。

具有在位势的一维单原子链中杂质引起的局域模

讨论具有在位势且含杂质的一维单原子链的局域振动.通过求解晶格振动方程组,分析在位势,杂质质量和杂质近邻力常数等参数共同影响下局域模的产生条件和振动特点,说明模的频移及局域程度与各参数的关系.