利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构

基于ＡＦＭ电场诱导的方法成功地在硅掺杂ｎ＋型ＧａＡｓ（１００）和锌掺杂ｐ型ＧａＡｓ（１００）表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形，最小的纳米结构约１５ｎｍ，并定性地考察了ＧａＡｓ表面ＡＦＭ电场诱导制备纳米结构的一些规律。

用AFM探针诱导局域氧化工艺制备纳米样板的研究

本文介绍了纳米测量系统的组成和纳米样板的研究现状 ,讨论了AFM探针诱导局域氧化工艺的原理及其影响参数 ,用该方法进行了一维纳米结构样板的制备 。

热障涂层体系中的氧化局域化及其成因

热生长氧化层的形貌影响热障涂层体系中应力应变分布,从而决定热障涂层体系的最终失效形式。研究了热生长氧化层中钉子或瘤状的局部突起物,即有可能造成应力集中的微区氧化局域化现象,采用扫描电镜(SEM)观察热生长氧化层的形貌,采用EDS能谱仪分析氧化局域化区域的成分。结合热障涂层体系的氧化机制,从材料学的角度分析了出现氧化局域化的原因,探讨了氧化局域化的出现对热障涂层体系力学性能的影响。结果表明,氧化局域化是由下列因素引起的:(1)活性元素的钉扎效应;(2)裂纹或者微孔洞等缺陷的诱导;(3)尖晶石的快速生长。氧化局域化的出现对热障涂层力学性能的影响同时存在有利和有害的一面。

基于金纳米粒子掩模的硅表面纳米结构加工

利用金溶胶纳米粒子为掩模，结合轻敲模式原子力显微镜（ＴＭ－ＡＦＭ）的局域氧化技术和化学湿法腐蚀，对Ｓｉ表面进行纳米尺度的结构加工，得到柱状和环状纳米结构．实验结果表明，氧化过程中ＡＦＭ针尖与样品平均间距的大小显著影响后续纳米结构的形状．保持一定的氧化偏压、扫描速度和相对湿度，当针尖与样品间距为７．５ ｎｍ时，可得到柱状纳米结构；而当间距减小到 ５ｎｍ时，则得到带芯环状纳米结构．不同几何形状的纳米结构形成的原因是体系中纳米粒子物理屏蔽效应．