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GaN HFET中局域电子气产生的动态电流
被引量:
4
1
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第3期149-154,共6页
从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电...
从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电子气的不同输运行为。详细研究了栅、漏偏置变化时的异质结充放电和局域电子气充放电。从这两种新的充放电效应出发,建立起描述沟道动态电流的电压控制模型,成功解释了陷阱俘获电荷模型不能解释的各类动态电流实验。
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关键词
异质结
充放电
局域电子气充放电
局域
电子
气
势垒
电压控制的动态电流模型
漂移
电子
气
局域
电子
气
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职称材料
题名
GaN HFET中局域电子气产生的动态电流
被引量:
4
1
作者
薛舫时
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第3期149-154,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61474101
61504125)
+1 种基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802
2015AA033305)
文摘
从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电子气的不同输运行为。详细研究了栅、漏偏置变化时的异质结充放电和局域电子气充放电。从这两种新的充放电效应出发,建立起描述沟道动态电流的电压控制模型,成功解释了陷阱俘获电荷模型不能解释的各类动态电流实验。
关键词
异质结
充放电
局域电子气充放电
局域
电子
气
势垒
电压控制的动态电流模型
漂移
电子
气
局域
电子
气
Keywords
heterojunction charging and discharging
localized electron gasses charging and discharging
localized electron gasses potential barrier
voltage-controlled dynamic current model
drift electron gasses
localized electron gasses
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN HFET中局域电子气产生的动态电流
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017
4
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