局域电荷体系的电势

探讨了分布在小区域v内的连续电荷体系在远场所产生的电势,可表为一组位于原点的各级多极子在远场产生的电势的叠加,而连续分布电荷体系可用位于原点的各级多极子代替.

氢化非晶硅局域态电荷密度的解析统一模型

本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read－Hall统计描述，推导出了局域态电荷密度统一的解析表达式，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。最后将该解析模型与现有的发表结果进行了比较，并由此分析了非晶硅场效应晶体管的迁移率。这种模型是研究非晶硅中的电荷俘获过程及非晶硅器件（如a－Si：HTFT）特性的必要基础。

FA离子重定向引起的电荷局域显著抑制了FAPbI3钙钛矿电子-空穴复合:时域从头算研究

本文利用从头算非绝热分子动力学结合时域密度泛函理论模拟,计算表明部分FA(FA=HC[NH2]2^+)阳离子的重定向造成电子和空穴局域在不同位置,减小了非绝热耦合并抑制了原子运动,从而显著抑制了FAPbI3的非辐射电子-空穴复合.虽然慢的核运动同时增加了退相干时间,但是减小的非绝热耦合是影响电荷复合的主导因素,将电子-空穴复合的时间尺度延长至数纳秒,比原始的FAPbI3激发态寿命长约3.9倍,与实验结果相符.研究厘清了实验报导的FAPbI3激发态寿命增加的机理,为设计高性能的钙钛矿太阳能电池和光电器件提供了合理的策略.

基于菲并咪唑衍生物的激发态调控及其在蓝光/白光OLED中的应用

有机发光二极管的应用已经步入我们的生活领域,但是高效率的蓝色发光材料仍然是限制其效率进一步提高的瓶颈。基于“交叉长短轴”结构模型,以菲并咪唑作为蓝光的构筑基元,设计合成了两个纯蓝光/天蓝光分子NPD和NCNPD。实验和理论计算结果表明:NCNPD分子由于N1位点引入了较强吸电子能力的氰基而表现出了更强的CT态特征,在溶液和薄膜中表现出了比NPD更红的发射和更低的荧光量子产率(PLQY),在此基础上NPD及NCNPD在非掺杂/掺杂器件的最大外量子效率(EQE)分别为1.84%/6.90%和0.76%/6.38%,充分说明在菲并咪唑长轴骨架上引入强CT态组分,以及再配合短轴修饰氰基来增强分子CT态特征,会对分子的光电性能造成不利的影响,凸显出合理调控蓝光材料激发态中的LE/CT态组分的分布和强度的必要性;基于NPD分子开发了一系列高性能的荧磷混合白光OLED,通过调控蓝光层/黄光层的厚度,暖白光及正白光器件的最大EQE达到了23.45%和15.24%;通过调控间隔层的厚度,制备了低滚降、光色稳定的正白光OLED,最高EQE为11.54%,显色指数(CRI)达到了了50。

近红外有机小分子电致发光材料研究进展

近红外有机发光材料与器件在信息安全、光纤通信、生物成像、医学诊断等重要领域具有广阔的应用前景。近几年,基于热激发延迟荧光、局域电荷转移杂化态、发光自由基的双重态激子发光等机理,电致发光过程中激子的利用率已达到100%,大幅提高了近红外有机电致发光器件的性能。本文综述了近红外有机小分子电致发光材料的研究进展。根据不同的发光机理对材料进行了分类,对各类发光机理及材料与器件的性能进行了总结,并对未来的发展前景进行了展望。

氢化非晶硅薄膜晶体管的静态特性研究

发展了一种研究a－Si：HTFT静态特性的新方法。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read-Hall统计描述，发展了一种局域态电行密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟道区有效温度参数的概念，在此基础上，推导出了a－Si：HTFT电流—电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。并详细分析了a－Si材料参数对TFTN态特性的影响。

基于高激子利用率的第三代有机电致发光材料的研究进展

荧光OLED材料由于受到激子统计规律的限制,其能量利用效率小于25%.为了开发高效而价廉的OLED材料,突破激子统计规律的研究受到了广泛关注,目前的研究主要集中在三个方向:突破激子统计限制的共轭聚合物材料、三线态反系间窜越(RISC)的延迟荧光材料以及"热激子"(hot exciton)与杂化局域-电荷转移(HLCT)激发态材料.对近年来在基于高激子利用率的第三代有机电致发光材料的研究方面的进展情况进行综述,同时对其未来的研究前景进行了展望.

铝硅酸盐玻璃中基于局域过剩电荷模型的Bi近红外发光调控

玻璃中铋离子的超宽带近红外(NIR)发光应用前景广泛,但Bi近红外中心的稳定性问题限制了其实际应用。为此,本工作以铋掺杂钇铝硅酸盐玻璃为研究对象,对可有效调控铋近红外发光行为的局域过剩电荷模型进行了补充与拓展,通过调控玻璃网络中引入的网络修饰体(Y^(3+))和低于四价的可取代Si^(4+)的网络形成体(Al^(3+)),在铋离子周围建成了局域过剩负电荷场,从而有效调控了铋离子在钇铝硅酸盐玻璃中的近红外发光行为(包括其价态、吸收和发光强度与峰位);同时提出了Bi近红外中心的分布规律:Bi^(0)主要分布在Si-O-Si/Si-O-Al网络结构多元环中,而Bi^(+)主要分布在Si网络框架结构的缝隙沟道内。一方面,解决了钇铝硅酸盐玻璃,甚至其他碱金属、碱土金属(锂/钠/钾、镁/钙/锶/钡等)铝硅酸盐玻璃中铋近红外中心的稳定性问题,为铋激光玻璃的设计和后期光纤制备奠定了实验与理论基础;另一方面,也证实了局域过剩电荷模型的有效性和普适性,为其他多价态发光离子(例如Eu、Ce、Cu、Ag、Sn等)的价态稳定化和网络分布可调化提供了新思路、新方法。

三线态转换的蓝光电致发光材料研究进展

有机电致发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)经历了30年的发展,发展蓝色有机电致发光分子,特别是能够有效利用三线态激子的三线态-三线态湮灭(triplet-triplet annihilation,TTA)和杂化局域-电荷转移(hybrid locally and charge-transfer excited state,HLCT)分子,是当下的研究热点。对近5年具有代表性的蓝光TTA和HLCT电致发光材料进行了梳理,期望激发该领域的研究,加速实现高效、长寿命的蓝光OLED器件。

半导体光学材料及制备

O472.1 97053431ZnS(111)表面电子结构研究=Study of the electronicstructure of ZnS(111)[刊,中]/班大雁,张海峰,李永平,方容川(中国科技大学物理系.安徽.合肥(230026))//物理学报.—1996,45(9).—1526—1535利用Muffin—Tin轨道线性组合(LMTO)法,采用slab模型计算了半导体ZnS(111)表面的电子结构,给出了总体、局域及分波态密度,分析了两种slab模型的表面稳定性和表面态。理论态密度曲线与ZnS(111)表面同步辐射光电子能谱相符合。图9参22(严寒)

新型有机荧光材料设计机理

从发光机理上综述了热活化延迟荧光和杂化局域–电荷转移态两类有机荧光材料的设计理念,以期为现阶段有机荧光材料的设计和开发带来新思路和启示。

二氧化碳氢化制多碳化合物金属纳米簇催化

二氧化碳催化氢化合成多碳化合物的研究对于减少碳排放和实现碳资源的可再生利用具有重要意义。本文总结概述了近年来二氧化碳氢化合成多碳化合物催化体系研究进展,着重介绍了低温下催化CO_(2)氢化合成多碳烃或多碳醇的金属纳米簇基催化剂的研究进展,讨论了CO_(2)氢化反应中C1和C_(2+)产物选择性调控的化学基础,介绍了具有低温催化CO_(2)氢化合成多碳化合物功能和高C_(2+)化合物选择性的PtRu双金属纳米簇催化剂的合成和构-效关系研究进展。在此基础上,进一步阐述了所提出的金属纳米簇催化剂局域电荷分布效应理论。

第一性原理计算Si和Ga掺杂对BCC-Fe广义层错能的影响

采用第一性原理计算了BCC-Fe以及BCC-Fe分别掺杂硅(Si)、镓(Ga)后{112}<111>滑移系的广义层错能。结果表明:Si和Ga均会降低BCC-Fe的广义层错能,对广义层错能曲线峰值的降低幅度分别为8.48%和10.27%;不同元素掺杂也会影响层错发生的位置,Si掺杂的BCC-Fe趋向于在Si原子所在的{112}面发生<111>方向的层错,而Ga掺杂的BCC-Fe更趋向于在与Ga原子近邻的{112}面发生<111>方向的层错。此外,BCC-Fe上下层沿着{112}<111>滑移系错动2/3bp(bp=1/2<111>)时,会形成薄层孪晶结构,使2/3bp处的广义层错能显著降低。与错动1bp后形成的完美晶体相比,薄层孪晶为亚稳定状态,可通过相邻的{112}平行晶面逐层错动2/3bp,从而生成多层孪晶来进一步降低层错能,一定程度上解释了Fe-Si、Fe-Ga合金中发现大量∑3孪晶界的现象。

带电粒子与二维强耦合尘埃等离子体的相互作用

当船在水中自由滑行时,一方面会在水面产生一个“V”型的尾波,另一方面它会由于水的摩擦而不断减速.有意思的是,当带电粒子在二维强耦合尘埃等离子体表面飞行时,也会发生类似的现象.

新一代有机电致发光材料突破激子统计

激子(或自旋)统计是基本的物理原理,决定有机半导体器件中形成单线态与三线态激子的比例(1:3).近年来,基于新原理(三线态反系间窜越、延迟荧光)的OLED材料引起广泛关注.该类材料在理论方面重新催热了关于自旋统计的探讨,在应用方面有望发展成为低成本、高性能的新一代OLED材料,在国内相关领域得到重视,多个研究机构已布局开展相关研究.从目前的发展情况看,该类材料的发光机制、原理以及进一步材料设计思路还有待探讨和明确.鉴于此,本文综述了激子统计研究进展,分析了多种提高激子利用效率的途径,提出本课题组提高激子利用率的"热激子过程"新思路及杂化局域-电荷转移(HLCT)态材料设计原理,器件实现接近100%的激子利用效率.

高温超导体的核磁共振研究

本文回顾了用核磁共振技术研究高温超导体的进展,着重介绍局域电荷分布,超导态性质以及赝能隙性质.除了CuO2面上的空穴密度总数外,Cu和O轨道上的空穴数的分布也是决定Tc的一个重要参数.核自旋晶格弛豫率以及奈特位移的实验结果显示,超导态的电子配对是d波单态配对.d波能隙函数里存在节点,使得准粒子从涡线中心“漏”到涡线外面.节点的存在也是非磁性杂质以及晶体无序会导致Tc明显降低的原因.45T高场下的实验发现,高温超导体的零温正常态是“费米弧”金属态.这说明赝能隙态和超导态是两个微观共存的物态.