两个典型氧桥三核铁髥配合物[Fe_3O(O_2CCH_2OC_6H_5)_6(3H_2O)]和[Fe_3O(TIEO)_2(O_2CPh)_2Cl_3]的局域自旋和磁性质的理论探讨(英文)

用从头算波函数(UHF或UDFT波函数)代替ZILSH方法中的半经验波函数得到了ABLSH方法,接着用该方法研究了两个典型氧桥三核铁髥配合物[Fe3O(O2CCH2OC6H5)6(3H2O)]和[Fe3O(TIEO)2(O2CPh)2Cl3]的局域自旋和磁性质。通过计算得到的局域自旋结果和前人的具有可比性,同时所得的磁交换耦合常数和实验值很吻合。该方法可作为研究海森堡型磁性系统(HM)的新工具。

在Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合相互作用下二端双通道中的局域自旋极化研究

研究二端双通道结构中同时存在Rashba和Dresselhaus两种自旋轨道耦合相互作用情况下的电子局域自旋极化。本结构中所产生的局域自旋极化是由量子干涉效应和自旋轨道耦合共同导致的,因此可以通过调节结构参数和门电压的大小来改变局域自旋极化的大小。在适当选取某些参数的情况下,局域自旋极化可以达到0.33,可以用于自旋过滤器和信息储存器件。

局域自旋系统中的集团恒等式

以伊辛自旋系统为例，讨论了集团恒等式及其在局域自旋系统统计计算中的应用．

双原子分子激发态势能的自旋相关局域Hartree-Fock密度泛函理论方法

基于自旋相关局域Hartree-Fock(SLHF)势函数,本文提出了一种计算双原子分子激发态势能的密度泛函理论(DFT)方法,并将该方法应用于H+2和H2的激发态势能曲线的计算.在只考虑交换能的情况下,本文的DFT计算结果与文献中精确方法和Hartree-Fock(HF)方法的结果符合的非常好,说明采用SLHF势函数作为交换势的DFT方法是一个很好的计算激发态势能的方法.本文还计算和探讨了电子的关联势函数和关联能,发现传统的近似方法在较大核间距的情况下大大低估了电子的关联能.

自旋波频率移动的缺陷效应

本文讨论了一维铁磁体中含有单个缺陷对自旋波频率移动的影响,结果表明,缺陷的存在会产生以缺陷为中心的局域自旋取向运动模式.

铁磁超导态中局域磁矩与电子对的相互作用

在一些材料中不但铁磁态与超导态共存,而且磁有序性和超导在同一临界参数下会同时出现,为解释以上现象而建立了一个模型,即:局域自旋与导电电子对相互作用模型.利用此模型,通过平均场理论散射矩阵方法得到了弱耦合极限下BCS理论形式Cooper对能量的关系式,及BCS理论中有S波对称序参量的相互作用形式.

CoSi合金的磁性和光学性质的第一性原理研究

采用第一性原理的局域自旋密度近似和在位库伦能修正(LSDA+U)的计算方法,结合广义梯度近似下的赝势平面波方法,计算了CoSi合金的磁性和光学性质。计算结果显示在费米能级附近,CoSi合金的上自旋能级与下自旋能级相互交叠,出现了明显的自旋极化现象,并且自旋态密度都穿过费米能级,表明CoSi合金具有金属特征。磁性计算结果表明CoSi合金具有铁磁性,磁性主要来源于Co原子3d轨道电子的贡献。特别是采用LSDA+U修正方法发现,当位库伦修正值增加到6.6eV时,CoSi合金体系的几何参数与实验值完全吻合,表明位库仑能U值的大小对CoSi合金的原子磁矩以及磁性原子的能级分布影响较大。同时,光学吸收谱计算结果表明,随着位库仑能U值的增大,CoSi合金的吸收峰在低能区发生红移,在高能区发生蓝移。以上结果表明,CoSi合金是一种很好的磁光导电材料。

双带 boson-fermion 模型的精确解

用Ｂｅｔｈｅａｎｓａｔｚ方法构造了双带ｂｏｓｏｎ－ｆｅｒｍｉｏｎ模型Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ量的精确本征态。由周期边界条件得到了Ｂｅｔｈｅａｎｓａｔｚ方程。结果表明该系统是完全可积的。

金属薄膜中的逆自旋霍尔效应

自旋流的产生和测量是自旋电子学面临的重大挑战.逆自旋霍尔效应提供了对自旋流进行电学测量的有效手段.文章总结了近年来人们对金属薄膜中的逆自旋霍尔效应的研究,从非局域电注入、铁磁共振注入、声波共振注入和圆偏振光注入这四种不同的自旋流注入方式来介绍逆自旋霍尔效应的物理机制、实现方式和影响因素.

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ_2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属 (TM =V ,Cr,Mn ,Fe ,Co和Ni)掺杂的Ⅱ Ⅳ Ⅴ2 (CdGeP2 和ZnGeP2 )黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算 .结果发现 :V和Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现铁磁状态(FM) ,Mn ,Fe以及Co掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现反铁磁状态 (AFM) ,而Ni掺杂时 ,稀磁半导体 (DMS)的磁性比较不稳定 .其中Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将可能是具有较高居里温度TC 的DMS .当TM 3d电子的t2g态部分被填充时 ,其掺杂的DMS将出现FM状态 ;而当TM 3d电子的t2g态全满或者全空时 ,其掺杂的DMS将出现AFM状态 .在(Cd ,Mn)GeP2 和 (Zn ,Mn)GeP2 中分别掺入电子和空穴载流子 ,可以发现载流子是否具有TM 3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因 .