机械合金化Fe_(100-x)Cu_x体系的结构

利用XAFS和XRD方法分别研究了机械合金化 80h制备的Fe10 0 -xCux系统的晶体结构及Fe和Cu原子的局域配位环境 .结果表明 ,当x>4 0时 ,样品中Fe原子的bcc结构消失 ,Cu原子的近邻结构基本不变 ,fcc晶格参数随x的增加而减小 ;当x <30时 ,Cu原子的fcc结构消失 ,Fe原子的近邻结构基本不变 ,bcc晶格参数随Cu原子的比例减小而增大 ;而x=30左右时 ,fcc和bcc结构共存 .研究结果还表明 ,Fe原子和Cu原子的比例不是相差很大时 ,Fe原子和Cu原子的近邻配位无序度会在很大的范围内变化 ,说明Fe -Cu二元体系不可能形成均匀的过饱和固溶体 ,存在Cu富集区和Fe富集区 。

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用 XAFS( X-射线吸收精细结构 )方法研究六方的纳米晶和晶体 Ga N在 78K和 3 0 0 K温度下 Ga原子的局域配位环境结构 .对于第一近邻 Ga-N配位 ,纳米晶 Ga N的平均键长 R、配位数 N、热无序度σT 和结构无序度σS与晶体 Ga N的相近 ,分别为 0 .194 nm、4 .0、0 .0 0 52 nm、0 .0 0 0 7nm ;当温度从 78K增加到 30 0 K,Ga N样品中 Ga-N配位的 σT 增加不多 ,小于 0 .0 0 0 5nm,表明第一近邻 Ga-N配位的共价键作用力较强 ,几乎不受温度和晶体状态的影响 .对于第二近邻 Ga-Ga配位 ,R为 0 .318nm,纳米晶 Ga N的σS( 0 .0 0 57nm )比晶体 Ga N的 ( 0 .0 0 1nm)大 0 .0 0 4 7nm;在78K和 30 0 K时 ,纳米晶 Ga N样品的 Ga-Ga配位的σT 分别为 0 .0 0 53nm和 0 .0 0 85nm,这一结果表明 Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响 .纳米晶 Ga N中 Ga原子的局域配位环境与晶体 Ga N的差别主要表现在第二近邻 Ga-Ga配位的 σS相对较大 ,可能是由于纳米晶 Ga