一维半导体高聚物中的激子态和发光性质及局部晶格畸变所产生的影响——Lanczos严格对角化方法

应用Ｌａｎｃｚｏｓ严格对角化方法在具有电子电子强关联效应的情况下，研究一维高聚物半导体中激子态的能量和波函数的特性，并以此为基础计算了在有局部晶格畸变时激子态的变化及其对发光性质的影响，并发现在一定的互作用参数下。

TiVTaZr高熵合金中点缺陷形成行为的第一性原理研究

本文采用第一性原理研究了TiVTaZr高熵合金的点缺陷性质。结果显示,空位形成能随着第一近邻环境中V原子数量的增加而增大,由于Zr原子具有较大的原子半径,富Zr环境中局部晶格畸变更严重,因此空位和间隙的形成能随着第一近邻环境中Zr原子数量的增加而降低。TiVTaZr合金平均空位与间隙形成能分别为(1.27±0.59)eV和(1.38±0.78)eV,均低于TiVTa合金((1.68±0.34)eV和(1.76±0.37)eV),表明在TiVTaZr合金中空位和间隙都更容易形成。此外,本文还发现在TiVTaZr合金中,间隙原子更容易以[111]取向的哑铃型间隙形式存在,其中,[111]取向的VV和TiV哑铃型间隙是TiVTaZr合金中最稳定的构型。TiVTaZr合金由于引入了Zr原子,使得合金具有更大的局部晶格畸变,这将导致更不规则的能量分布,致使空位和间隙的形成能降低,从而更容易形成。通过对电子结构研究,发现TiVTaZr合金较TiVTa合金具有更短的赝能隙,这可能会提高原子间结合强度,改善合金的力学性能。这些结果为bcc结构的高熵合金的缺陷演化以及组分设计提供了科学依据。