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题名应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究
被引量:1
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作者
高渊
刘英坤
邓建国
梁东升
董军平
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机构
河北工业大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期460-463,共4页
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文摘
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。
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关键词
局部氧化隔离
化学机械抛光
反刻
抛光速率
选择比
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Keywords
local oxidation on silicon (LOCOS)
chemical mechanical polishing (CMP)
etchback
polishing rate
selectivity ratio
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响
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作者
段健
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机构
西安工程机械专修学院机电系
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出处
《西安工程大学学报》
CAS
2011年第3期375-378,共4页
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文摘
通过模拟局部氧化隔离SOINMOSFET器件硅膜和埋氧界面处的应力分布随埋氧厚度的变化情况,分析其对硼杂质再分布的影响机制,得出SOI NMOSFET器件阈值电压对埋氧厚度的依赖关系.模拟结果表明,在原工艺流程完成后再进行一次退火处理,可以减弱应力对器件阈值电压的影响.
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关键词
绝缘体上硅
局部氧化隔离
界面应力
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Keywords
silicon-on-insulator
LOCOS isolation
interface stress
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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