MEMS封装用局部激光键合法及其实现

对常规激光键合在Si-玻璃键合工艺中因高温而引起的负面效应进行了分析，从而设计出芯片表面活化预键合与激光键合工艺相结合的方法。该方法已用于微电子机械系统（MEMs）样片封装实验中。实验过程是：先用一种特殊的化学方法形成亲水表面，然后将Si和玻璃置于室温下进行预键合，最后取波长1064nm、光斑直径500μm、功率70W的Nd：YAG激光器作局部激光加热。结果表明，该方法在不施加外力下能实现无损伤低温键合，同时拉伸实验也说明了样片键合强度达到2．6～3．0MPa，从而既保证了MEMS芯片的封装质量又降低了其封装成本。