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基于GaAs光导开关的纳秒脉冲源设计
被引量:
5
1
作者
姜苹
谢卫平
+4 位作者
李洪涛
袁建强
刘宏伟
刘金锋
赵越
《信息与电子工程》
2012年第6期744-747,770,共5页
以高密度聚乙烯介质平板型B线为储能器件,设计了一台层叠Blumlein传输线型脉冲功率源。以GaAs PCSS为开关,通过4级B线层叠结构实现电压倍增。单级B线阻抗25Ω,时间常数2.5 ns,功率源总阻抗100Ω。Pspice模拟表明:随着开关导通电阻上升,...
以高密度聚乙烯介质平板型B线为储能器件,设计了一台层叠Blumlein传输线型脉冲功率源。以GaAs PCSS为开关,通过4级B线层叠结构实现电压倍增。单级B线阻抗25Ω,时间常数2.5 ns,功率源总阻抗100Ω。Pspice模拟表明:随着开关导通电阻上升,输出电压脉冲幅度下降,脉宽增大;随着开关转换时间增长,输出脉冲延迟时间上升,前、后沿时间增长。采用波长为1 064 nm,能量为30 mJ,脉宽为5 ns的Nd:YAG激光器触发光导开关,当充电25 kV时,负载上得到电压38 kV,上升沿1.4 ns,脉冲约5 ns的近似方波输出。
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关键词
GAAS光导开关
层叠b线
脉冲充电
纳秒激光
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职称材料
题名
基于GaAs光导开关的纳秒脉冲源设计
被引量:
5
1
作者
姜苹
谢卫平
李洪涛
袁建强
刘宏伟
刘金锋
赵越
机构
中国工程物理研究院流体物理研究所
出处
《信息与电子工程》
2012年第6期744-747,770,共5页
文摘
以高密度聚乙烯介质平板型B线为储能器件,设计了一台层叠Blumlein传输线型脉冲功率源。以GaAs PCSS为开关,通过4级B线层叠结构实现电压倍增。单级B线阻抗25Ω,时间常数2.5 ns,功率源总阻抗100Ω。Pspice模拟表明:随着开关导通电阻上升,输出电压脉冲幅度下降,脉宽增大;随着开关转换时间增长,输出脉冲延迟时间上升,前、后沿时间增长。采用波长为1 064 nm,能量为30 mJ,脉宽为5 ns的Nd:YAG激光器触发光导开关,当充电25 kV时,负载上得到电压38 kV,上升沿1.4 ns,脉冲约5 ns的近似方波输出。
关键词
GAAS光导开关
层叠b线
脉冲充电
纳秒激光
Keywords
GaAs Photoconductive Semiconductor Switches
stacked
b
lumlein line
pulse charge
nanosecond laser
分类号
TN782 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GaAs光导开关的纳秒脉冲源设计
姜苹
谢卫平
李洪涛
袁建强
刘宏伟
刘金锋
赵越
《信息与电子工程》
2012
5
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职称材料
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