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65nm工艺大容量2W/8R高速SDP存储器的设计
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作者 徐庆光 温亮 李振涛 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2012年第S1期63-67,共5页
SDP是为"飞腾-迈创"DSP在65nm工艺下设计的一个核间数据共享存储器,容量为512×32b,端口数为2W/8R.针对SDP存储器写端口数少的特点,为减小面积,采用了分为4个2W/2R存储体的实现策略.为了提高存储单元的噪声容限,设计了读... SDP是为"飞腾-迈创"DSP在65nm工艺下设计的一个核间数据共享存储器,容量为512×32b,端口数为2W/8R.针对SDP存储器写端口数少的特点,为减小面积,采用了分为4个2W/2R存储体的实现策略.为了提高存储单元的噪声容限,设计了读写端口分离的12管2W/2R存储单元,使得读写操作的噪声容限分别达到了333mV和274.7mV.采用层次式位线技术,提高了读写操作的速度,并降低了功耗.用全定制方法完成了2W/2R存储体的版图设计,并用Encounter完成了SDP存储器的总体集成.版图后的模拟结果显示,SS条件下的最大延时为750ps,TT条件下的功耗为45.2mW@500MHz. 展开更多
关键词 多端口存储器 噪声容限 层次式位线
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