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65nm工艺大容量2W/8R高速SDP存储器的设计
1
作者
徐庆光
温亮
李振涛
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2012年第S1期63-67,共5页
SDP是为"飞腾-迈创"DSP在65nm工艺下设计的一个核间数据共享存储器,容量为512×32b,端口数为2W/8R.针对SDP存储器写端口数少的特点,为减小面积,采用了分为4个2W/2R存储体的实现策略.为了提高存储单元的噪声容限,设计了读...
SDP是为"飞腾-迈创"DSP在65nm工艺下设计的一个核间数据共享存储器,容量为512×32b,端口数为2W/8R.针对SDP存储器写端口数少的特点,为减小面积,采用了分为4个2W/2R存储体的实现策略.为了提高存储单元的噪声容限,设计了读写端口分离的12管2W/2R存储单元,使得读写操作的噪声容限分别达到了333mV和274.7mV.采用层次式位线技术,提高了读写操作的速度,并降低了功耗.用全定制方法完成了2W/2R存储体的版图设计,并用Encounter完成了SDP存储器的总体集成.版图后的模拟结果显示,SS条件下的最大延时为750ps,TT条件下的功耗为45.2mW@500MHz.
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关键词
多端口存储器
噪声容限
层次式位线
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职称材料
题名
65nm工艺大容量2W/8R高速SDP存储器的设计
1
作者
徐庆光
温亮
李振涛
机构
国防科学技术大学计算机学院
出处
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2012年第S1期63-67,共5页
基金
国家自然科学基金项目(60906014)
文摘
SDP是为"飞腾-迈创"DSP在65nm工艺下设计的一个核间数据共享存储器,容量为512×32b,端口数为2W/8R.针对SDP存储器写端口数少的特点,为减小面积,采用了分为4个2W/2R存储体的实现策略.为了提高存储单元的噪声容限,设计了读写端口分离的12管2W/2R存储单元,使得读写操作的噪声容限分别达到了333mV和274.7mV.采用层次式位线技术,提高了读写操作的速度,并降低了功耗.用全定制方法完成了2W/2R存储体的版图设计,并用Encounter完成了SDP存储器的总体集成.版图后的模拟结果显示,SS条件下的最大延时为750ps,TT条件下的功耗为45.2mW@500MHz.
关键词
多端口存储器
噪声容限
层次式位线
Keywords
multi-port SRAM
noise margin
hierarchical bitlines
分类号
TP3 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
65nm工艺大容量2W/8R高速SDP存储器的设计
徐庆光
温亮
李振涛
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2012
0
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