层状二硫化钼研究进展

近年来,层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点.本文综述了层状二硫化钼的物理结构、价带结构和光学性质;介绍了制备方法,包括生长制备和剥离制备.生长制备的原料包括四硫代钼酸铵((NH4)_2MoS_4)、钼(Mo)和三氧化钼(MoO_3)等.剥离制备包括微机械剥离、液相超声法、锂离子插层法和电化学锂离子插层法等.归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、传感器和存储方面的应用,展望了层状二硫化钼的研究前景.

基于层状二硫化钼纳米片比色检测亚锡离子

在醋酸/醋酸钠缓冲溶液（pH=4.5）中,亚锡离子对层状二硫化钼（MoS2）纳米片催化过氧化氢（H2O2）氧化邻苯二胺（OPD）的显色反应有很强的抑制作用,据此构建了一种检测亚锡离子的比色传感器.实验结果表明,与不加Mo S2纳米片的OPD/H2O2比色传感体系相比,MoS2/OPD/H2O2体系检测亚锡离子的灵敏度显著提高,线性范围变宽.在优化的条件下,MoS2/OPD/H2O2传感体系检测亚锡离子的线性范围为0.02~3.0μmol/L,检出限为8 nmol/L（S/N=3）.该传感体系对检测亚锡离子具有高的选择性,可用于湖水中亚锡离子的检测.

化学气相沉积法较低温度下制备层状硫化钼薄膜的研究

二硫化钼具有类似石墨烯的层状结构,是一种被广泛研究的过渡金属硫族化合物。层状二硫化钼是一种具有较高带隙的半导体,其具有好的光致发光特性以及光电子学特性,在晶体管、光伏、传感器件以及光催化分解水制备氢气等领域具有潜在的应用价值。目前,较高质量的二硫化钼层状薄膜主要是通过高温化学气相沉积法制备,一般制备温度较高,在850~1000℃。本实验利用化学气相沉积法分别在650℃、675℃、700℃、725℃和750℃条件下制备层状二硫化钼薄膜。通过对不同温度下制备的样品进行光学形貌测试及拉曼光谱分析,得出在较低温度下温度对制备二硫化钼薄膜的形貌和单个片层的尺寸具有显著的影响,其中在725℃时制备的层状薄膜形貌和尺寸都较好。本工作为在较低温度下制备出高质量层状MoS2薄膜打下了较好的基础。