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正十二烷基胺支撑的四碘化锡层状半导体材料的研究 被引量:4
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作者 刘崭 石高全 +1 位作者 陈凤恩 马明明 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1185-1190,共6页
合成了具有钙钛矿结构的有机-无机复合层状半导体材料,(C12H25NH3)2SnI4。测得其电导率为5×10-3S·cm-1。粉末X-射线衍射(XRD)结果表明在有机层中的烷基链间有较高的链交叉。用示差扫描量热法(DSC),变温拉曼光谱(Raman)和变温... 合成了具有钙钛矿结构的有机-无机复合层状半导体材料,(C12H25NH3)2SnI4。测得其电导率为5×10-3S·cm-1。粉末X-射线衍射(XRD)结果表明在有机层中的烷基链间有较高的链交叉。用示差扫描量热法(DSC),变温拉曼光谱(Raman)和变温红外光谱(IR)研究了其微观结构随温度的变化。 展开更多
关键词 正十二烷基胺支撑 四碘化锡 有机-无机复合层状半导体材料 钙钛矿结构 碘化亚锡 相转变
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Zn^(2+)掺杂诱导Eu^(3+)激活BiOCl层状半导体的反常发光性能研究 被引量:2
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作者 陈凡丽 李永进 +5 位作者 张相周 徐祖元 胡锐 邱建备 杨正文 宋志国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期877-883,共7页
采用固相法在500℃下成功制备Zn^(2+)掺杂BiOCl:Eu^(3+)层状半导体,并研究了Zn^(2+)(0~20mol%)掺杂对Eu^(3+)激活BiOCl层状半导体发光性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR... 采用固相法在500℃下成功制备Zn^(2+)掺杂BiOCl:Eu^(3+)层状半导体,并研究了Zn^(2+)(0~20mol%)掺杂对Eu^(3+)激活BiOCl层状半导体发光性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、激发–发射光谱、荧光寿命衰减曲线对样品的结构和性能进行表征。研究发现,随Zn^(2+)掺杂浓度增大,BiOCl晶体结构不变,Eu^(3+)荧光寿命延长,但发光强度却出现先减后增的反常现象。综合分析表明这可能与BiOCl特殊的层状结构有关。通过XRD和XPS的表征可以推断:当Zn^(2+)掺杂浓度≤10mol%,Zn^(2+)在BiOCl中掺杂方式以晶胞层间隙掺杂为主;当Zn^(2+)掺杂浓度>10mol%后,掺杂方式逐渐向取代掺杂转变。两种掺杂机制对Eu^(3+)荧光寿命的改变以及形成缺陷对基质能量传递效率的影响可能是形成上述反常现象的主要原因。研究结果有助于认识稀土掺杂层状半导体的发光性能及影响规律,并对Eu^(3+)掺杂BiOCl这类新型发光材料的开发设计具有指导意义。 展开更多
关键词 BiOCl Eu3+离子 Zn2+掺杂 层状半导体
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掺锰p—GaSe层状半导体的辐射中心
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作者 周哲 《光机电信息》 2000年第7期21-22,共2页
采用光致发光(PL)测量法研究了掺锰(0.1~1at.%)GaSe的发射带,根据PL强度与温度的关系曲线、峰值能量与锰浓度的函数关系和激发光谱得出,1.82eV发射带是因导带至受主能级(在价带以上0.30eV)的跃迁引起的.近年来,掺锰GaSe因其在可见光范... 采用光致发光(PL)测量法研究了掺锰(0.1~1at.%)GaSe的发射带,根据PL强度与温度的关系曲线、峰值能量与锰浓度的函数关系和激发光谱得出,1.82eV发射带是因导带至受主能级(在价带以上0.30eV)的跃迁引起的.近年来,掺锰GaSe因其在可见光范围的光电子器件中的潜在应用而受到人们的广泛关注.本文详细报道了作为锰浓度函数的能量峰值和激发光谱的实验结果,并依据发射和激发光谱讨论了1.82eV红光发射带的辐射复合机理. 展开更多
关键词 掺锰p-GaSe 层状半导体 辐射中心
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Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺层状钙钛矿型CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)半导体的制备及上转换发光性能研究
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作者 张郎景 杨芳 +5 位作者 舒匀 李昱 石艺 李文睿 李世坤 彭跃红 《大学物理实验》 2024年第5期63-67,共5页
采用固相法合成了Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺杂的层状钙钛矿型CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)(CBN)上转换(UC)发光材料,并利用粉末X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和UC发射光谱研究了它们的物相结构、形貌和上转换发光性能。在980 nm激发下,CaBi_... 采用固相法合成了Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺杂的层状钙钛矿型CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)(CBN)上转换(UC)发光材料,并利用粉末X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和UC发射光谱研究了它们的物相结构、形貌和上转换发光性能。在980 nm激发下,CaBi_(2)Nb_(2)O_(9):Yb^(3+)/Tm^(3+)样品呈现出以478 nm为中心的强蓝光发射,并伴有典型的647 nm、695 nm弱红光发射和783 nm近红外发射,这归因于Tm^(3+)分别对应于^(1)G_(4)→^(3)H_(6)、^(1)G_(4)→^(3)F_(4)、^(3)F_(3)→^(3)H_(6)和^(3)H_(4)→^(3)H_(6)跃迁。功率依赖性研究表明,所有UC发射都是双光子过程。结果表明,CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)是一种很有前途的UC发光材料。 展开更多
关键词 上转换发光 层状半导体 CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)
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二维层状磁性半导体材料FePS3的物理性质研究 被引量:1
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作者 李梦歌 傅瑜 何俊宝 《南阳师范学院学报》 CAS 2021年第1期15-20,共6页
利用化学气相输运法制备出了过渡金属-磷-三硫化物FePS3的高质量单晶样品,并对该单晶样品的晶体结构、电输运性质和磁各向异性进行了系统的研究.粉末X射线衍射结构精修显示FePS3呈单斜晶体结构,具有典型的层状结构特征.面内电阻率随温... 利用化学气相输运法制备出了过渡金属-磷-三硫化物FePS3的高质量单晶样品,并对该单晶样品的晶体结构、电输运性质和磁各向异性进行了系统的研究.粉末X射线衍射结构精修显示FePS3呈单斜晶体结构,具有典型的层状结构特征.面内电阻率随温度降低而升高,呈半导体行为,激活能大小为273 meV.在高温区,面内磁化率和面间磁化率都随温度降低而升高,呈居里-外斯顺磁行为;但是两个方向上磁化率的外斯温度符号相反,表现出明显的各向异性.随着温度的降低,两个方向上的磁化率在118 K附近都急剧减小,然后保持不变,表现出典型的反铁磁相变行为,但是该反铁磁相变具有明显的一级相变特征. 展开更多
关键词 二维层状磁性半导体材料 单晶制备 物理性质
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二维层状磁性半导体材料FePSe3的物理性质研究
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作者 刘博 杨艺 +1 位作者 傅瑜 何俊宝 《凝聚态物理学进展》 2022年第2期21-27,共7页
本文采用化学气相输运(CVT)法生长了大尺寸高质量的过渡金属–磷–三硒化物FePSe3的单晶样品,通过扫描电镜–能谱系统(SEM-EDX)、X射线衍射仪(XRD)、综合物性测量系统(PPMS)和磁性测量系统(MPMS)研究了该单晶样品的化学成分、晶体结构... 本文采用化学气相输运(CVT)法生长了大尺寸高质量的过渡金属–磷–三硒化物FePSe3的单晶样品,通过扫描电镜–能谱系统(SEM-EDX)、X射线衍射仪(XRD)、综合物性测量系统(PPMS)和磁性测量系统(MPMS)研究了该单晶样品的化学成分、晶体结构、电输运性质和磁各向异性。单晶和粉末X射线衍射表明FePSe3是具有三角晶体结构的典型层状材料。面内电阻率随温度变化曲线表明FePSe3是半导体材料,激活能约为268 meV。磁化率随温度变化曲线表明FePSe3在109 K发生具有明显一级相变特征的反铁磁相变;反铁磁相变温度之上面内磁化率和面间磁化率都表现居里–外斯顺磁行为,但外斯温度符号相反,表现出明显的各向异性。 展开更多
关键词 二维层状磁性半导体材料 单晶制备 晶体结构 物理性质
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非层状二维CdSe的制备及厚度对带隙的影响
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作者 李婷 张文婷 +3 位作者 王红艳 李秀梅 雷子煊 夏晓凤 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第5期153-158,共6页
二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑... 二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷,打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈. 相较于层状半导体材料,非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合,且各向同性,因此要获取其二维结构存在一定挑战. 本论文通过化学气相沉积法实现了非层状CdSe在云母衬底上的二维各向异性生长. 详细表征了二维CdSe的微观形貌、晶体结构和光学特性等. 结果表明,样品具有显著的光致发光 (PL )效应,说明厚度减薄至纳米级时不会破坏CdSe的直接带隙属性. 此外,随着厚度减小,样品的PL峰逐渐蓝移. 为了进一步解释该现象,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同厚度的CdSe的能带结构,结果显示均为直接带隙,且随厚度减小,带隙值增大,与实验现象吻合. 由此可知,通过生长参数调控二维CdSe的厚度,即可实现对其带隙的有效调控,这对相关光电器件的性能提升具有指导意义. 展开更多
关键词 层状半导体材料 二维CdSe 化学气相沉积 带隙 第一性原理
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基于FET结构的MoS_(2)器件的研究进展 被引量:1
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作者 潘苏敏 黄玲琴 陶化文 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第3期210-217,共8页
对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS_(2))的材料特性以及基于MoS_(2)薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS_(2)场效应晶体管(FET)的结构特点,并对MoS_(2) FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚... 对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS_(2))的材料特性以及基于MoS_(2)薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS_(2)场效应晶体管(FET)的结构特点,并对MoS_(2) FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚阈值摆幅等)以及栅极介质层材料对器件性能的影响等进行了综述。在此基础上进一步总结了近年来国内外基于FET结构的MoS_(2)光电器件及传感器的研究进展,分别对其结构、光响应度以及灵敏度等性能进行了分析讨论。最后,对MoS_(2)薄膜制备以及基于FET结构的MoS_(2)电子器件、光电器件和传感器未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 二硫化钼(MoS_(2)) 场效应晶体管(FET) 光电器件 传感器 二维层状半导体
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GaSe纳米带的可控生长及其光电探测器的光电特性 被引量:1
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作者 汪明 单龙强 +1 位作者 郭西深 陈士荣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第10期1027-1034,共8页
二维层状半导体材料GaSe由于具有良好的光电特性,在光电子器件领域备受关注。以GaSe/Ga_(2)Se_(3)高纯粉末混合物为前驱体,通过化学气相沉积(CVD)法实现了结晶良好的六方晶系GaSe纳米带的均匀、可控生长。分析表明,反应温度和反应时间... 二维层状半导体材料GaSe由于具有良好的光电特性,在光电子器件领域备受关注。以GaSe/Ga_(2)Se_(3)高纯粉末混合物为前驱体,通过化学气相沉积(CVD)法实现了结晶良好的六方晶系GaSe纳米带的均匀、可控生长。分析表明,反应温度和反应时间对纯相GaSe纳米带的生长起着重要作用。900℃下反应20 min获得了大量、均匀的纯相GaSe纳米带,宽度为20~40μm,长度达数百微米。产物GaSe纳米带在可见光区域具有良好的光学吸收,光学带隙约2.12 eV。并且,基于单根GaSe纳米带制备了光电探测器,GaSe纳米带光电探测器在可见光照射下具有良好的光电响应,在光照强度为7.32μW·cm^(-2)的530 nm波长光照下,其响应度和增益分别高达835.2 A·W^(-1)和1954,有望应用于高性能光电探测领域。 展开更多
关键词 GaSe纳米带 光电探测器 化学气相沉积(CVD) 二维层状半导体材料 可控生长
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Novel Synthesis Method of Nonst0ichiometric Na2-xlrO3 Crystal Structure, Transport and Magnetic Properties
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作者 Katharina Rolfs Ekaterina Pomjakushina +1 位作者 Denis Sheptyakov Kazimierz Conder 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2016年第4期153-160,共8页
Transition metal oxides with 4d or 5d metals are of great interest due to the competing interactions, of the Coulomb repulsion and the itineracy of the d-electrons, opening a possibility of building new quantum ground... Transition metal oxides with 4d or 5d metals are of great interest due to the competing interactions, of the Coulomb repulsion and the itineracy of the d-electrons, opening a possibility of building new quantum ground states. Particularly the 5d metal oxides containing Iridium have received significant attention within the last years, due to their unexpected physical properties, caused by a strong spin orbit coupling observed in It(IV). A prominent example is the Mott-insulator Sr2IrO4. Another member of this family, the honeycomb lattice compound Na2IrO3, also being a Mott-insulator having, most probably, a Kitaev spin liquid ground state. By deintercalating sodium from Na2IrO3, the authors were able to synthesize a new honeycomb lattice compound with more than 50% reduced sodium content. The reduction of the sodium content in this layered compound leads to a change of the oxidation state of iridium from + IV to + V/+ VI and a symmetry change from C2/c to P-3. This goes along with significant changes of the physical properties. Besides the vanishing magnetic ordering at 15 K, also the transport properties changes and instead insulating semiconducting properties are observed. 展开更多
关键词 Strongly correlated electron systems iridates OXIDATION neutron diffraction
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